[发明专利]一种生产NLDMOS器件的方法及NLDMOS器件

权利要求书

1.一种生产NLDMOS器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

首先提供一低阻P+型衬底；

在所述低阻P+型衬底形成BN区域、两个STI区域及Nwell层；

在所述Nwell层两侧分别刻蚀出Trench区域；

在所述Trench区域形成栅极；

在所述STI区域和所述Trench区域之间生成源极区域；

在所述Trench区域之间生成漏极区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在低阻P+型衬底形成BN区域、两个STI区域及Nwell层的步骤包括：

在低阻P+型衬底选择元素锑注入，并经历热过程形成BN区域；

在所述低阻P+型衬底两侧位置刻蚀出STI区域，填充所述STI区域，并进行CMP磨平；

向所述低阻P+型衬底注入Nwell，经过一段热过程扩散形成Nwell层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在低阻P+型衬底选择元素锑注入的步骤中注入元素锑的剂量为X/cm²，X的值为：1e12≦X≦1e14。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述向低阻P+型衬底注入Nwell的步骤中，所述Nwell的剂量为N/cm²，N的值为：1e12≦N≦1e14。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在Trench区域形成栅极的步骤包括：

在所述Trench区域的侧壁生长氧化层作为栅氧；

然后在所述Trench区域填充多晶硅，并CMP磨平，形成最后的栅极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅氧的厚度范围为100A-150A。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在STI区域和所述Trench区域之间生成源极区域的步骤包括：

在所述STI区域和所述Trench区域之间，首先通过PB光刻板注入形成器件的PB区域，并经历RTA激活；

再利用N+和P+光刻板在所述PB区域分别注入金属，形成有源区N+区域和有源区P+区域；

在所述有源区N+区域和所述有源区P+区域打孔，并淀积刻蚀金属后端形成源极的接触。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在Trench区域之间生成漏极区域的步骤包括：

在所述Trench区域之间选择磷元素注入N+，形成有源区N+区域，其中注入剂量为K/cm²，K的值为：1e12≦K≦1e14；

在所述有源区N+区域打孔，并淀积刻蚀金属后端形成漏极的接触。

9.一种NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件由权利要求1至权利要求8所述的任一一种生产方法生产得到，所述NLDMOS器件包括：

BN区域；

位于所述BN区域上方的N型阱区；

位于所述N型阱区中部的漏极；

位于所述漏极两侧，且与所述漏极反向设置的第一栅极区域和第二栅极区域，所述第一栅极区域和所述第二栅极区域均为Trench结构。

10.根据权利要求9所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件电流从所述源极的有源区N+区域流入，然后绕过两侧Trench结构的栅极，最后被漏极区的N型源区N+收集。