[发明专利]一种生产NLDMOS器件的方法及NLDMOS器件

权利要求书

1.一种生产NLDMOS器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

首先提供一低阻P+型衬底；

在所述低阻P+型衬底形成BN区域、两个STI区域及Nwell层；

在所述两个STI区域之间分别刻蚀出PB区域；

在所述低阻P+型衬底上方生长栅氧并形成栅极；

在所述PB区域生成源极区域；

在所述PB区域之间刻蚀深孔区域，并将所述深孔区域进行填充后，金属淀积刻蚀形成漏极区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在低阻P+型衬底形成BN区域、两个STI区域及Nwell层的步骤包括：

在低阻P+型衬底选择元素锑注入，并经历热过程形成BN区域；

在所述低阻P+型衬底两侧位置刻蚀出STI区域，填充所述STI区域，并进行CMP磨平；

向所述低阻P+型衬底注入Nwell，经过一段热过程扩散形成Nwell层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在低阻P+型衬底选择元素锑注入的步骤中注入元素锑的剂量为X/cm²，X的值为：1e12≦X≦1e14。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述向低阻P+型衬底注入Nwell的步骤中，所述Nwell的剂量为N/cm²，N的值为：1e12≦N≦1e14。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在两个STI区域之间分别刻蚀出PB区域的步骤包括：

使用光刻板在所述两个STI区域之间分别刻蚀出初步的PB区域；

注入B离子，注入B离子的剂量为M/cm²，M的值为：1e12≦M≦1e14，形成最终的PB区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在低阻P+型衬底上方生长栅氧并形成栅极的步骤包括：

在所述低阻P+型衬底上表面生长栅氧，所述栅氧的厚度大约为100A-150A；

然后在栅氧淀积多晶硅，再利用栅极光刻板刻蚀多晶硅，形成最后的栅极。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在PB区域生成源极区域的步骤包括：

利用N+和P+光刻板在所述PB区域分别注入金属，形成有源区N+区域P+型接触区，并经历RTA激活；

在所述有源区N+区域和所述有源区P+区域打孔，并淀积刻蚀金属后端形成源极的接触。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在PB区域之间刻蚀深孔区域，并将所述深孔区域进行填充后，金属淀积刻蚀形成漏极区域的步骤包括：

在所述PB区域之间刻蚀深孔区域，所述深孔区域一端与所述低阻P+型衬底上方对齐，另一端与所述BN区域接触；

将所述深孔区域进行金属填充；

再进行金属淀积刻蚀形成电学连接；

引出漏极。

9.一种NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件由权利要求1至权利要求8所述的任一一种生产方法生产得到，所述NLDMOS器件包括：

BN区域；

位于所述BN区域上方的N型阱区；

位于所述N型阱区的深孔区域，所述深孔区域连接所述BN区域，且在所述深孔区域填充金属引出漏极，从而使得漏极N+区域与所述BN区域导通。

10.根据权利要求9所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件电流从有源区N+区域中流出后直接流入BN端，然后通过BN端的漏极孔流出。