[发明专利]一种生产NLDMOS器件的方法及NLDMOS器件

说明书

本发明实施例提供一种生产NLDMOS器件的方法，还提供了通过该方法得到的NLDMOS器件。该方法包括首先在一提供一低阻P+型衬底，然后在所述低阻P+型衬底形成BN区域、两个STI区域及Nwell层，再在所述STI区域内侧分别刻蚀出PB区域，然后所述低阻P+型衬底上方生长栅氧并形成栅极，在所述PB区域生成源极区域，最后在所述PB区域之间刻蚀深孔区域，并将所述深孔区域进行填充后，金属淀积刻蚀形成漏极区域。本发明提供的方法生产得到的NLDMOS器件面积大大减小，使电流检测功能的器件可集成。

技术领域

本发明涉及锂电保护领域，尤其涉及一种生产NLDMOS器件的方法，以及通过该方法得到的NLDMOS器件。

背景技术

传统的锂电池保护器件，只是常规的功率器件，在实际应用方案中，必须外置一颗高精度的取样电阻，通过对取样电阻上的电压取样，才能实现对电路的精准控制。

但是对于大容量的电池来说，取样电阻的电阻值会极大的增加整个回路中的总电阻值，从而增加系统的功耗，极大的降低了整机的待机时间。那么，如何从NLDMOS器件发面进行改进，提供面积更小的NLDMOS器件，从而可以集成具备电流检测功能的功率器件，从而可以避免使用取样电阻，解决当前的问题，是本发明需要解决的问题。

发明内容

本发明提供一种用于锂电保护的器件，解决现有技术中，取样电阻的电阻值影响回路中的总电阻值，而导致整机待机时间下降的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种生产NLDMOS器件的方法，包括：

首先提供一低阻P+型衬底；

在所述低阻P+型衬底形成BN区域、两个STI区域及Nwell层；

在所述两个STI区域之间分别刻蚀出PB区域；

在所述低阻P+型衬底上方生长栅氧并形成栅极；

在所述PB区域生成源极区域；

在所述PB区域之间刻蚀深孔区域，并将所述深孔区域进行填充后，金属淀积刻蚀形成漏极区域。

进一步的，所述在低阻P+型衬底形成BN区域、两个STI区域及Nwell层的步骤包括：

在低阻P+型衬底选择元素锑注入，并经历热过程形成BN区域；

在所述低阻P+型衬底两侧位置刻蚀出STI区域，填充所述STI区域，并进行CMP磨平；

向所述低阻P+型衬底注入Nwell，经过一段热过程扩散形成Nwell层。

进一步的，述在低阻P+型衬底选择元素锑注入的步骤中注入元素锑的剂量为X/cm²，X的值为：1e12≦X≦1e14。

进一步的，所述向低阻P+型衬底注入Nwell的步骤中，所述Nwell的剂量为N/cm²，N的值为：1e12≦N≦1e14。

进一步的，所述在两个STI区域之间分别刻蚀出PB区域的步骤包括：

使用光刻板在所述两个STI区域之间分别刻蚀出初步的PB区域；

注入B离子，注入B离子的剂量为M/cm²，M的值为：1e12≦M≦1e14，形成最终的PB区域；

进一步的，所述在低阻P+型衬底上方生长栅氧并形成栅极的步骤包括：

在所述低阻P+型衬底上表面生长栅氧，所述栅氧的厚度大约为100A-150A；

然后在栅氧淀积多晶硅，再利用栅极光刻板刻蚀多晶硅，形成最后的栅极。