[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，包括：

一叠层，形成于一衬底上，该叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层；以及

多个存储器串列，沿着一第一方向穿过该叠层，各该存储器串列包括：

一第一导电柱及一第二导电柱，分别沿着该第一方向延伸且彼此电性隔离；

一通道层，沿着该第一方向延伸，其中该通道层设置于该第一导电柱与该第二导电柱之间，且该通道层耦接于该第一导电柱与该第二导电柱；以及

一存储器结构，环绕该第一导电柱、该第二导电柱及该通道层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

该通道层具有沿着一第二方向及一第三方向所形成的一环形横截面，该第二方向及该第三方向是垂直于该第一方向，该通道层具有一环形内表面以及一环形外表面，该第一导电柱及该第二导电柱耦接于该环形外表面。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，各该存储器串列包括位于中心区域的一绝缘柱，且该绝缘柱连接于该通道层的该环形内表面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，各该存储器串列包括位于中心区域的一绝缘柱，且该通道层沿着该第一方向延伸于该绝缘柱与该第一导电柱之间以及该绝缘柱与该第二导电柱之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一导电柱耦接于该通道层的一第一位置，该第二导电柱耦接于该通道层的一第二位置，该第一位置与该第二位置是沿着一第二方向彼此相对，该第二方向交错于该第一方向，

在该第一位置与该第二位置之间的延伸联机上，该通道层形成一第一宽度，由该第一导电柱至该第二导电柱所形成宽度为一第二宽度，且该第二宽度大于该第一宽度。

6.一种半导体装置，其中，包括：

一叠层，形成于一衬底上，该叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层；以及

多个存储器串列，沿着一第一方向穿过该叠层，各该存储器串列包括：

一第一导电柱及一第二导电柱，分别沿着该第一方向延伸且彼此电性隔离；

一通道层，沿着该第一方向延伸，其中该通道层耦接于该第一导电柱与该第二导电柱；以及

一存储器结构，环绕该第一导电柱、该第二导电柱及该通道层；

其中，这些导电层包括一第一底导电层，该第一底导电层设置于该第一导电柱与该第二导电柱之下。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，在该第一方向中，该第一底导电层是重叠于该第一导电柱与该第二导电柱。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，该通道层穿过该第一底导电层。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，该第一底导电层的材料不同于设置于该第一底导电层之上的这些导电层的材料。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，该第一导电柱、该通道层及该第二导电柱沿着不同于该第一方向的一第二方向配置，且该第一导电柱与该第二导电柱沿着该第二方向接触该通道层的相对侧。