[发明专利]芯片焊垫的切片方法有效
申请号: | 202011384765.1 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN112378693B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 李彬彬 | 申请(专利权)人: | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
主分类号: | G01N1/06 | 分类号: | G01N1/06;G01N1/28;G01N1/32 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 梁馨怡 |
地址: | 266104 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 切片 方法 | ||
1.一种芯片焊垫的切片方法,用于PCB的异常分析中,其特征在于,所述芯片焊垫的切片方法包括如下步骤:
提供一芯片,所述芯片上靠近其一端的位置设置有焊垫;
自所述芯片上远离所述焊垫的一端进行研磨,直至研磨至所述焊垫所在位置,并对所述焊垫继续进行研磨切片;
所述自所述芯片上远离所述焊垫的一端进行研磨,直至研磨至所述焊垫所在位置,并对所述焊垫进行研磨切片的步骤之前,还包括:
将所述芯片竖直镶嵌于一胶柱内;所述胶柱上靠近所述焊垫的一端为近端,所述胶柱上远离所述焊垫的一端为远端;
所述自所述芯片上远离所述焊垫的一端进行研磨,直至研磨至所述焊垫所在位置,并对所述焊垫进行研磨切片的步骤包括:
自所述胶柱的远端向其近端的方向对所述胶柱及所述芯片进行研磨,直至研磨至所述焊垫所在位置,并对所述焊垫进行研磨切片;
所述自所述胶柱的远端向其近端的方向对所述胶柱及所述芯片进行研磨,直至研磨至所述焊垫所在位置,并对所述焊垫进行研磨切片的步骤,包括:
自所述胶柱的远端向其近端方向对所述胶柱及所述芯片进行粗磨,并粗磨至靠近所述焊垫所在的位置;
沿所述胶柱的远端向其近端的方向对所述胶柱及所述芯片进行细磨,直至研磨至所述焊垫所在位置,并对所述焊垫进行研磨切片。
2.如权利要求1所述的芯片焊垫的切片方法,其特征在于,所述沿所述胶柱的远端向其近端的方向对所述胶柱及所述芯片进行细磨,直至研磨至所述焊垫所在位置,并对所述焊垫进行研磨切片的步骤,包括:
沿所述胶柱的远端向其近端的方向对所述胶柱及所述芯片进行一道细磨,直至研磨至所述焊垫的边缘;
自所述焊垫的边缘继续沿所述胶柱的远端向其近端的方向对所述胶柱及所述焊垫进行二道细磨,并研磨至所述焊垫的中心位置;
其中,所述一道细磨的精度等级大于所述二道细磨的精度等级。
3.如权利要求2所述的芯片焊垫的切片方法,其特征在于,进行粗磨所使用的砂纸粒度为140CW~200CW;进行一道细磨所使用的砂纸粒度为1000CW~1600CW;进行二道细磨所使用的砂纸粒度为1800CW~2500CW。
4.如权利要求2所述的芯片焊垫的切片方法,其特征在于,所述自所述焊垫的边缘继续沿所述胶柱的远端向其近端的方向对所述胶柱及所述焊垫进行二次细磨,并研磨至所述焊垫的中心位置的步骤之后,还包括:
对所述焊垫进行抛光处理。
5.如权利要求4所述的芯片焊垫的切片方法,其特征在于,所述对所述焊垫进行抛光处理的步骤,包括:
采用粒度为3um的金刚石抛光液对所述焊垫进行一次抛光处理;
采用粒度为1um的氧化铝抛光液对所述焊垫进行二次抛光处理;
采用粒度为0.05um的氧化铝抛光液对所述焊垫进行三次抛光处理。
6.如权利要求1至5中任一项所述的芯片焊垫的切片方法,其特征在于,所述将所述芯片竖直镶嵌于一胶柱内的步骤,包括:
将所述芯片采用一夹片竖直固定在注胶桶内;
向所述注胶桶内注入胶料,形成所述胶柱,以使所述芯片竖直镶嵌于所述胶柱内;
待所述胶柱固化后,从所述注胶桶内取出。
7.如权利要求6所述的芯片焊垫的切片方法,其特征在于,所述将所述芯片采用一夹片竖直固定在所述注胶桶内的步骤之前,还包括:
清洗所述芯片及所述夹片,并清洗所述注胶桶内表面;
在所述注胶桶内表面涂覆脱模剂;
所述向所述注胶桶内注入胶料,形成所述胶柱,以使所述芯片竖直镶嵌于所述胶柱内的步骤之前,还包括:
将环氧树脂和固化剂按4:1的重量比例混合,形成混合液;
静置所述混合液,直至所述混合液呈透明状,形成所述胶料。
8.如权利要求1至5中任一项所述的芯片焊垫的切片方法,其特征在于,所述自所述芯片上远离所述焊垫的一端进行研磨,直至研磨至所述焊垫所在位置,并对所述焊垫进行研磨切片的步骤,包括:
自所述芯片上远离焊垫的一端进行多次研磨,直至研磨至所述焊垫所在位置,并继续对所述焊垫进行多次研磨,直至完成对所述焊垫的切片处理;
其中,任意相邻的两次研磨的研磨角度相互垂直,且后次研磨的磨痕覆盖前次研磨的磨痕。
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