[发明专利]电源管理类芯片柔性封装方法以及柔性封装芯片在审
| 申请号： | 202011385145.X | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112530817A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 宋冬生;杨磊 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/304;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/495 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 何晓春 |
| 地址： | 314051 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电源 管理 芯片 柔性 封装 方法 以及 | ||
1.一种电源管理类芯片柔性封装方法，其特征在于，包括：
对半导体晶圆进行减薄；
对减薄后的所述半导体晶圆进行切割，得到待封装芯片；
在超薄金属框架上设置烧结银涂层，形成贴片区域；
将所述待封装芯片粘贴至所述贴片区域；
对所述烧结银涂层进行固化；
采用柔性材料对所述待封装芯片进行包封。
2.根据权利要求1所述的电源管理类芯片柔性封装方法，其特征在于，完成包封后的所述待封装芯片弯折时的曲率半径为8-20毫米。
3.根据权利要求1所述的电源管理类芯片柔性封装方法，其特征在于，所述对半导体晶圆进行减薄包括：
对所述半导体晶圆进行减薄，将所述半导体晶圆的厚度减薄到小于等于25微米。
4.根据权利要求1所述的电源管理类芯片柔性封装方法，其特征在于，所述超薄金属框架包括厚度为35-50微米的铜框架。
5.根据权利要求1所述的电源管理类芯片柔性封装方法，其特征在于，所述在超薄金属框架上设置烧结银涂层包括：
采用丝网印刷法在所述超薄金属框架上印刷厚度为15-35微米的所述烧结银涂层。
6.根据权利要求1所述的电源管理类芯片柔性封装方法，其特征在于，所述将所述待封装芯片粘贴至所述贴片区域还包括：
通过引线键合将所述待封装芯片连接至所述超薄金属框架的内引脚。
7.根据权利要求1所述的电源管理类芯片柔性封装方法，其特征在于，所述对所述烧结银涂层进行固化包括：
在20Mpa，225-235摄氏度的条件下对所述烧结银涂层烘烤5-10分钟，将所述烧结银涂层固化。
8.根据权利要求1所述的电源管理类芯片柔性封装方法，其特征在于，所述采用柔性材料对所述待封装芯片进行包封包括：
采用有机硅树脂材料对所述待封装芯片进行包封。
9.根据权利要求1所述的电源管理类芯片柔性封装方法，其特征在于，所述采用柔性材料对所述待封装芯片进行包封之后还包括：
对所述超薄金属框架进行冲切，切断每个包封完成的所述待封装芯片对应的外引脚的连接部，得到多个封装好的柔性电源管理芯片。
10.一种柔性封装芯片，其特征在于，包括超薄金属框架、超薄芯片、烧结银涂层以及柔性材料，其中，所述烧结银涂层设置在所述超薄金属框架上，所述超薄芯片粘贴在所述烧结银涂层上且通过引线与所述超薄金属框架的内引脚电性相连，所述柔性材料包封所述超薄芯片和所述引线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
