[发明专利]一种地下管线位置的确定方法、装置及其存储介质有效

专利信息
申请号: 202011386082.X 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN112503399B 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 彭飞;胡曙光;甄兆聪;葛如冰;程铭宇;文继超 申请(专利权)人: 广州市城市规划勘测设计研究院
主分类号: F17D5/00 分类号: F17D5/00;F16L55/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 黄华莲;郝传鑫
地址: 510060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 地下 管线 位置 确定 方法 装置 及其 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种地下管线位置的确定方法,其特征在于,包括如下步骤:

通过待探测的地下管线的明显点,向所述地下管线施加交变电流,以使所述地下管线产生二次磁场;

以地面的某一点为原点,以垂直于所述地下管线走向的水平方向为ox轴,以所述地下管线的埋深方向为oz轴,建立二维坐标系,以使所述地下管线的横坐标为正值,纵坐标为负值;

沿着垂直于地下管线走向的水平方向进行磁场探测,得到一组一维水平测量数据对;其中,所述水平测量数据对包括水平位置和第一二次磁场强度;

在水平探测方向上选定一点,沿着所述地下管线的埋深方向进行磁场探测,得到一组一维竖直测量数据对;其中,所述竖直测量数据对包括竖直位置和第二二次磁场强度;

根据所述水平方向上的某一水平位置x对应的第一二次磁场强度H(x,0)与所述选定的一点所对应的第一二次磁场强度H(x1,0)的比值,再乘以所述埋深方向上的某一竖直位置z对应的第二二次磁场强度H(x1,z),得到水平位置为x和竖直位置为z所对应的位置点的第三二次磁场强度;其中,所述选定的一点的水平位置为x1,x>0,x≠x1,z<0;

根据所述第三二次磁场强度及其对应的位置点,在所述二维坐标系上绘制出磁场强度的等值线;

根据所述等值线,得到所述等值线的理论极大值点位,将所述理论极大值点位作为所述地下管线的管道中心坐标。

2.如权利要求1所述的地下管线位置的确定方法,其特征在于,在所述根据所述水平方向上的某一水平位置x对应的第一二次磁场强度H(x,0)与所述选定的一点所对应的第一二次磁场强度H(x1,0)的比值,再乘以所述埋深方向上的某一竖直位置z对应的第二二次磁场强度H(x1,z),得到水平位置为x和竖直位置为z所对应的位置点的第三二次磁场强度之前,所述方法还包括:

根据所述水平测量数据,以水平位置的数据为横坐标,以第一二次磁场强度H(x,0)为纵坐标,绘制第一测量曲线;

对所述第一测量曲线进行圆滑处理,剔除异常测量数据。

3.如权利要求1所述的地下管线位置的确定方法,其特征在于,在所述根据所述水平方向上的某一水平位置x对应的第一二次磁场强度H(x,0)与所述选定的一点所对应的第一二次磁场强度H(x1,0)的比值,再乘以所述埋深方向上的某一竖直位置z对应的第二二次磁场强度H(x1,z),得到水平位置为x和竖直位置为z所对应的位置点的第三二次磁场强度之前,所述方法还包括:

根据所述竖直测量数据,以竖直位置的数据为横坐标,以第二二次磁场强度H(x1,z)为纵坐标,绘制第二测量曲线;

对所述第二测量曲线进行圆滑处理,剔除异常测量数据。

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