[发明专利]一种地下管线位置的确定方法、装置及其存储介质有效
申请号: | 202011386082.X | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112503399B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 彭飞;胡曙光;甄兆聪;葛如冰;程铭宇;文继超 | 申请(专利权)人: | 广州市城市规划勘测设计研究院 |
主分类号: | F17D5/00 | 分类号: | F17D5/00;F16L55/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 黄华莲;郝传鑫 |
地址: | 510060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 地下 管线 位置 确定 方法 装置 及其 存储 介质 | ||
1.一种地下管线位置的确定方法,其特征在于,包括如下步骤:
通过待探测的地下管线的明显点,向所述地下管线施加交变电流,以使所述地下管线产生二次磁场;
以地面的某一点为原点,以垂直于所述地下管线走向的水平方向为ox轴,以所述地下管线的埋深方向为oz轴,建立二维坐标系,以使所述地下管线的横坐标为正值,纵坐标为负值;
沿着垂直于地下管线走向的水平方向进行磁场探测,得到一组一维水平测量数据对;其中,所述水平测量数据对包括水平位置和第一二次磁场强度;
在水平探测方向上选定一点,沿着所述地下管线的埋深方向进行磁场探测,得到一组一维竖直测量数据对;其中,所述竖直测量数据对包括竖直位置和第二二次磁场强度;
根据所述水平方向上的某一水平位置x对应的第一二次磁场强度H(x,0)与所述选定的一点所对应的第一二次磁场强度H(x1,0)的比值,再乘以所述埋深方向上的某一竖直位置z对应的第二二次磁场强度H(x1,z),得到水平位置为x和竖直位置为z所对应的位置点的第三二次磁场强度;其中,所述选定的一点的水平位置为x1,x>0,x≠x1,z<0;
根据所述第三二次磁场强度及其对应的位置点,在所述二维坐标系上绘制出磁场强度的等值线;
根据所述等值线,得到所述等值线的理论极大值点位,将所述理论极大值点位作为所述地下管线的管道中心坐标。
2.如权利要求1所述的地下管线位置的确定方法,其特征在于,在所述根据所述水平方向上的某一水平位置x对应的第一二次磁场强度H(x,0)与所述选定的一点所对应的第一二次磁场强度H(x1,0)的比值,再乘以所述埋深方向上的某一竖直位置z对应的第二二次磁场强度H(x1,z),得到水平位置为x和竖直位置为z所对应的位置点的第三二次磁场强度之前,所述方法还包括:
根据所述水平测量数据,以水平位置的数据为横坐标,以第一二次磁场强度H(x,0)为纵坐标,绘制第一测量曲线;
对所述第一测量曲线进行圆滑处理,剔除异常测量数据。
3.如权利要求1所述的地下管线位置的确定方法,其特征在于,在所述根据所述水平方向上的某一水平位置x对应的第一二次磁场强度H(x,0)与所述选定的一点所对应的第一二次磁场强度H(x1,0)的比值,再乘以所述埋深方向上的某一竖直位置z对应的第二二次磁场强度H(x1,z),得到水平位置为x和竖直位置为z所对应的位置点的第三二次磁场强度之前,所述方法还包括:
根据所述竖直测量数据,以竖直位置的数据为横坐标,以第二二次磁场强度H(x1,z)为纵坐标,绘制第二测量曲线;
对所述第二测量曲线进行圆滑处理,剔除异常测量数据。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州市城市规划勘测设计研究院,未经广州市城市规划勘测设计研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011386082.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。