[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

再分布基板，所述再分布基板包括第一再分布层；

半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板上并且电连接到所述第一再分布层；

第一模制构件，所述第一模制构件位于所述再分布基板和所述半导体芯片上；

第二再分布层，所述第二再分布层位于所述第一模制构件上并且具有再分布焊盘；

竖直连接结构，所述竖直连接结构位于所述再分布基板与所述第二再分布层之间并且将所述第一再分布层和所述第二再分布层彼此电连接；

第二模制构件，所述第二模制构件位于所述第一模制构件上以及所述第二再分布层的至少一部分上；

电连接焊盘，所述电连接焊盘位于所述第二模制构件的最上表面上并且电连接到所述第二再分布层；以及

钝化层，所述钝化层位于所述第二模制构件上并且具有暴露所述电连接焊盘的至少一部分的开口，

其中，所述电连接焊盘包括：包含第一金属的导体层和位于所述导体层上且包含第二金属的接触层，

其中，所述再分布焊盘包括不同于所述第一金属和所述第二金属的第三金属，并且

其中，所述电连接焊盘的被所述开口暴露的所述部分的宽度大于所述再分布焊盘的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二模制构件包括基础模制层和堆积模制层，所述基础模制层位于所述第一模制构件的上表面上，所述堆积模制层位于所述基础模制层的上表面上，

其中，所述第二再分布层的所述再分布焊盘位于所述基础模制层的上表面上，并且所述堆积模制层位于所述再分布焊盘的一部分上，

其中，所述电连接焊盘位于所述堆积模制层的上表面上，

其中，所述第二再分布层从所述再分布焊盘的一侧沿着所述基础模制层的上表面延伸，并且具有通过延伸穿过所述基础模制层的背面通路电连接到所述竖直连接结构的再分布图案，

其中，所述再分布焊盘包括彼此相邻的第一背面再分布焊盘和第二背面再分布焊盘，

其中，所述电连接焊盘包括：在所述再分布基板用作基础参考平面的所述半导体封装件的截面图中，位于所述第一背面再分布焊盘上方的第一电连接焊盘和位于所述第二背面再分布焊盘上方的第二电连接焊盘，

其中，所述再分布图案包括在所述第一背面再分布焊盘与所述第二背面再分布焊盘之间延伸的多个再分布图案，并且

其中，在所述半导体封装件的所述截面图中，所述多个再分布图案当中的一个或更多个再分布图案与所述第一电连接焊盘和所述第二电连接焊盘中的至少一者竖直交叠。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第一电连接焊盘与所述第二电连接焊盘之间的距离小于所述第一背面再分布焊盘与所述第二背面再分布焊盘之间的距离。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述电连接焊盘具有其中形成有多个第一凹槽的外部区域，所述多个第一凹槽延伸穿过所述接触层和所述导体层，

其中，所述钝化层位于所述电连接焊盘的所述外部区域上。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述电连接焊盘具有其中形成有多个第二凹槽的内部区域，所述多个第二凹槽延伸穿过所述接触层和所述导体层，

其中，所述电连接焊盘的所述内部区域没有所述钝化层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

电连接图案，所述电连接图案位于所述第二模制构件的所述最上表面上并且从所述电连接焊盘延伸，

其中，所述电连接图案通过延伸穿过所述第二模制构件的电连接通路连接到所述再分布焊盘，并且

其中，所述电连接焊盘偏离所述再分布焊盘。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二再分布层包括彼此间隔开的多个第二再分布层，

其中，旁路布线层位于与所述电连接焊盘相同的水平高度上，并且将所述多个第二再分布层彼此电连接，并且

其中，所述旁路布线层与所述电连接焊盘间隔开。