[发明专利]半导体封装件

说明书

一种半导体封装件，包括：包括第一再分布层的再分布基板，位于所述再分布基板上的第一模制构件，位于所述第一模制构件上并且具有再分布焊盘的第二再分布层，位于第二模制构件的上表面上并且电连接到所述第二再分布层的电连接焊盘，以及位于所述第二模制构件上并且具有暴露所述电连接焊盘的至少一部分的开口的钝化层。所述电连接焊盘包括：包含第一金属的导体层和位于所述导体层上且包含第二金属的接触层。所述再分布焊盘包括不同于所述第一金属和所述第二金属的第三金属。所述电连接焊盘的被所述开口暴露的所述部分的宽度大于所述再分布焊盘的宽度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0168552的优先权，其公开内容通过引用全部合并于此。

技术领域

本公开总体上涉及半导体封装件，并且更具体地，涉及包括用于进行电连接的再分布层的半导体封装件。

背景技术

尽管可能需要半导体器件来处理大容量数据，但是其体积已经逐渐减小。因此，在包括彼此不同的半导体耦接芯片的层叠封装(POP)构造中，设置在下封装件的背面上的电连接焊盘的数目和将电连接焊盘电连接到第一再分布层RDL的背面互连线的数目已经增加。然而，由于要求电连接焊盘具有标准尺寸的面积，因此可能难以将面积减小到预定尺寸或更小，并且在减小背面互连线的宽度和空间方面可能存在技术限制。

发明内容

示例实施例提供了一种通过使用第二再分布层而具有提高的集成密度和可靠性的半导体封装件。

根据示例实施例，一种半导体封装件，包括：再分布基板，所述再分布基板包括第一再分布层；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板上并且电连接到所述第一再分布层；第一模制构件，所述第一模制构件位于所述再分布基板和所述半导体芯片上；第二再分布层，所述第二再分布层位于所述第一模制构件上并且具有再分布焊盘；竖直连接结构，所述竖直连接结构位于所述再分布基板与所述第二再分布层之间并且将所述第一再分布层和所述第二再分布层彼此电连接；第二模制构件，所述第二模制构件位于所述第一模制构件上以及所述第二再分布层的至少一部分上；电连接焊盘，所述电连接焊盘位于所述第二模制构件的最上表面上并且电连接到所述第二再分布层；以及钝化层，所述钝化层位于所述第二模制构件上并且具有暴露所述电连接焊盘的至少一部分的开口。所述电连接焊盘包括：包含第一金属的导体层和位于所述导体层上且包含第二金属的接触层。所述再分布焊盘包括不同于所述第一金属和所述第二金属的第三金属。所述电连接焊盘的被所述开口暴露的所述部分的宽度大于所述再分布焊盘的宽度。

根据示例实施例，一种半导体封装件，包括：再分布基板，所述再分布基板包括第一再分布层；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板上；第一模制构件，所述第一模制构件位于所述再分布基板和所述半导体芯片上；第二再分布层，所述第二再分布层位于所述第一模制构件上并且包括再分布焊盘；竖直连接结构，所述竖直连接结构位于所述再分布基板上并且将所述第一再分布层和所述第二再分布层彼此电连接；第二模制构件，所述第二模制构件位于所述第一模制构件上并且覆盖所述第二再分布层的至少一部分；以及电连接结构，所述电连接结构位于所述第二模制构件上并且电连接到所述再分布焊盘。所述电连接结构包括包含镍(Ni)的导体层以及位于所述导体层的上表面上并且包含金(Au)的接触层。所述再分布焊盘包括铜(Cu)。