[发明专利]一种易于PCB制造的高隔离度微波耦合器在审
申请号: | 202011387691.7 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112382838A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 周德伟;卢煜旻;朱欣恩 | 申请(专利权)人: | 上海矽杰微电子有限公司 |
主分类号: | H01P5/22 | 分类号: | H01P5/22 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 丁鹏 |
地址: | 201800 上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 易于 pcb 制造 隔离 微波 耦合器 | ||
1.一种易于PCB制造的高隔离度微波耦合器,包括基板、多个分支端口以及隔离端口,其特征在于:所述基板包括自上而下依次堆叠的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、第三金属层、第三绝缘层以及第四金属层,所述隔离端口设置于所述第一金属层,所述第四金属层设置有微带线;还包括过孔,所述过孔将所述隔离端口与所述微带线连通,所述微带线通过电阻R接地;所述第二金属层和第三金属层分别为所述第一金属层和所述第四金属层的参考地层。
2.根据权利要求1所述的一种易于PCB制造的高隔离度微波耦合器,其特征在于:所述微带线一端与过孔连通,另一端与电阻R的一端连通,所述电阻R的另一端与一微波扇形面连通,该微波扇形面接地。
3.根据权利要求2所述的一种易于PCB制造的高隔离度微波耦合器,其特征在于:所述微波扇形面位于第四金属层。
4.根据权利要求1所述的一种易于PCB制造的高隔离度微波耦合器,其特征在于:所述第一金属层、第二金属层、第三金属层以及第四金属层为铜制,所述第一绝缘层材质为RO4350B,厚度为0.254mm,所述第二绝缘层材质为FR4,厚度为0.5mm,所述第三绝缘层材质为FR4,厚度为0.254mm。
5.根据权利要求1所述的一种易于PCB制造的高隔离度微波耦合器,其特征在于:还包括吸波材料层,所述吸波材料层位于所述微带线表面,所述吸波材料层将所属微带线部分或全部遮蔽。
6.根据权利要求5所述的一种易于PCB制造的高隔离度微波耦合器,其特征在于:所述吸波材料层距离所述过孔中心位置的最小距离为W1。
7.根据权利要求5所述的一种易于PCB制造的高隔离度微波耦合器,其特征在于:所述吸波材料层为梯形,临近所述过孔一侧的边长W2小于远离所述过孔一侧的边长W3,梯形的高为W4。
8.根据权利要求5-7任一所述的一种易于PCB制造的高隔离度微波耦合器,其特征在于:所述吸波材料层厚度为1mm,且其工作频率为24GHz。
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