[发明专利]掩膜板及其制备方法、显示面板的制备方法在审
申请号: | 202011387759.1 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112563440A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 沈阔;张智辉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;C23C14/04;C23C14/24;G03F1/80 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种掩膜板,用于制备显示面板,所述显示面板包括多个像素单元,所述像素单元包括多个子像素,所述显示面板还包括围绕各所述子像素的像素界定层,其特征在于,所述掩膜板包括:
基板,所述基板具有开口区和遮光区,所述开口区对应部分所述子像素,所述遮光区对应其余所述子像素和所述像素界定层;
隔离柱,所述隔离柱设于所述基板上且位于所述遮光区。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述隔离柱在所述基板遮光区的设置位置与所述像素界定层对应。
3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述隔离柱的数量为多个,每一所述隔离柱在所述基板遮光区的设置位置与一个所述像素单元内的像素界定层对应。
4.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述像素界定层围绕所述第一子像素、第二子像素和第三子像素;
所述基板的开口区对应各所述第一子像素,所述基板的遮光区对应各所述第二子像素、第三子像素和所述像素界定层,所述隔离柱在所述基板遮光区的设置位置与所述像素单元内的像素界定层位于所述第二子像素和第三子像素之间的部分相对应。
5.根据权利要求3或4所述的掩膜板,其特征在于,所述隔离柱的数量与所述像素单元的数量相等,各所述隔离柱在所述基板遮光区的设置位置与各所述像素单元内的像素界定层一一对应。
6.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述隔离柱的材质为有机材料或金属材料。
7.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述隔离柱的材质与所述基板的材质相同。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一背板;
在所述背板上制备像素界定层,所述像素界定层定义多个子像素;
将如权利要求1-7中任一项所述的掩膜板覆盖在所述背板上,使所述开口区暴露出部分所述子像素,所述遮光区覆盖其余所述子像素和所述像素界定层,且使所述隔离柱抵在所述背板上;
在所述开口区暴露的子像素内蒸镀有机材料。
9.一种掩膜板的制备方法,其特征在于,包括:
形成具有开口区的基板,所述基板开口区以外的部位为遮光区;
在所述基板的遮光区形成多个隔离柱。
10.根据权利要求9所述的掩膜板的制备方法,其特征在于,所述形成多个隔离柱包括:
在所述基板的遮光区涂覆光刻胶,通过曝光显影去除部分光刻胶,剩余光刻胶形成所述隔离柱;
或,在所述基板的遮光区涂覆光刻胶,通过曝光显影去除部分所述光刻胶,在去除了光刻胶的位置通过电铸工艺形成所述隔离柱,去除剩余所述光刻胶。
11.根据权利要求10所述的掩膜板的制备方法,其特征在于,所述形成具有开口区的基板包括:
在一基板上涂覆光刻胶,通过曝光显影去除部分光刻胶,在去除了光刻胶的位置通过刻蚀形成所述开口区,去除剩余所述光刻胶,形成所述具有开口区的基板;
或,在一底板上涂覆光刻胶,通过曝光显影去除部分光刻胶,在去除了光刻胶的位置通过电铸工艺形成所述遮光区,去除剩余所述光刻胶,形成所述具有开口区的基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择