[发明专利]掩膜板及其制备方法、显示面板的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011387759.1 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN112563440A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 沈阔;张智辉 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L27/32;C23C14/04;C23C14/24;G03F1/80
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 掩膜板 及其 制备 方法 显示 面板
【说明书】:

发明提供一种掩膜板及其制备方法、显示面板的制备方法。显示面板还包括围绕各子像素的像素界定层,掩膜板包括基板和设于基板上的隔离柱,基板具有开口区和遮光区,开口区对应部分子像素,遮光区对应其余子像素和像素界定层;隔离柱位于遮光区。隔离柱制作在掩膜板上,能起到支撑掩膜板的效果,且蒸镀时不影响后续膜层蒸镀,保证了显示面板的蒸镀效果和封装效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种掩膜板及其制备方法、显示面板的制备方法。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示技术,以其轻薄、自发光、视角广、响应速度快、亮度低、功耗低等优点,被业界公认为第三代显示技术,已经成为显示技术领域的主要发展方向。

蒸镀OLED显示面板中各子像素的有机层时,需要在基板上制作隔离柱(PS,PhotoSpacer)用以支撑精密金属掩膜板(FMM,Fine Metal Mask),使二者之间维持一间隙,防止基板和掩膜板贴合过近导致后续分离时破坏蒸镀好的膜层。但在掩膜板对位时仍需尽可能使掩膜板贴近基板,避免因间隙过大而形成较大的蒸镀shadow,掩膜板在对位过程中很可能会刮伤或压伤基板上的隔离柱,隔离柱损伤会影响后续膜层的蒸镀效果,尤其金属阴极层易发生断裂,导致像素不良或局部封装失效,影响器件性能和寿命。此外对位时隔离柱也有可能刮伤掩膜板而导致出现蒸镀不良。

需要说明的是,在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本发明的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩膜板及其制备方法、显示面板的制备方法,解决现有技术存在的一种或多种问题。

根据本发明的一个方面,提供一种掩膜板,用于制备显示面板,所述显示面板包括多个像素单元,所述像素单元包括多个子像素,所述显示面板还包括围绕各所述子像素的像素界定层,所述掩膜板包括:

基板,所述基板具有开口区和遮光区,所述开口区对应部分所述子像素,所述遮光区对应其余所述子像素和所述像素界定层;

隔离柱,所述隔离柱设于所述基板上且位于所述遮光区。

在本发明的一种示例性实施例中,所述隔离柱在所述基板遮光区的设置位置与所述像素界定层对应。

在本发明的一种示例性实施例中,所述隔离柱的数量为多个,每一所述隔离柱在所述基板遮光区的设置位置与一个所述像素单元内的像素界定层对应。

在本发明的一种示例性实施例中,所述像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述像素界定层围绕所述第一子像素、第二子像素和第三子像素;

所述基板的开口区对应各所述第一子像素,所述基板的遮光区对应各所述第二子像素、第三子像素和所述像素界定层,所述隔离柱在所述基板遮光区的设置位置与所述像素单元内的像素界定层位于所述第二子像素和第三子像素之间的部分相对应。

在本发明的一种示例性实施例中,所述隔离柱的数量与所述像素单元的数量相等,各所述隔离柱在所述基板遮光区的设置位置与各所述像素单元内的像素界定层一一对应。

在本发明的一种示例性实施例中,所述隔离柱的材质为有机材料或金属材料。

在本发明的一种示例性实施例中,所述隔离柱的材质与所述基板的材质相同。

根据本发明的另一个方面,提供一种显示面板的制备方法,包括:提供一背板;在所述背板上制备像素界定层,所述像素界定层定义多个子像素;将如上述任意一项所述的掩膜板覆盖在所述背板上,使所述开口区暴露出部分所述子像素,所述遮光区覆盖其余所述子像素和所述像素界定层,且使所述隔离柱抵在所述背板上;在所述开口区暴露的子像素内蒸镀有机材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011387759.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top