[发明专利]包括薄膜晶体管的显示设备及制造该显示设备的方法在审
申请号: | 202011387872.X | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112992923A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 洪礼媛;李正贤;申铉秀 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 薄膜晶体管 显示 设备 制造 方法 | ||
1.一种显示设备,包括:
基板;
所述基板上的遮光层、信号线和第一电极;
所述遮光层、所述信号线和所述第一电极上的有源层;
所述有源层上的栅极电极,所述栅极电极与所述有源层部分地重叠;
所述栅极电极上的第二电极;
配置为将所述有源层与所述信号线连接的第一连接电极;和
配置为将所述有源层与所述第一电极和所述第二电极的任意一个连接的第二连接电极,
其中所述第一电极和所述第二电极的任意一个是显示器件的像素电极,并且另一个是所述显示器件的公共电极,
所述遮光层、所述信号线和所述第一电极设置在同一层,并且
所述第一连接电极和所述第二连接电极由与所述第二电极相同的材料形成。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述信号线包括:
由与所述第一电极相同的材料形成的第一导电层;和
所述第一导电层上的第二导电层,
其中所述第二导电层的电阻率低于所述第一导电层的电阻率。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中所述第一导电层由透明导电氧化物形成,并且所述第二导电层由金属或金属合金形成。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述信号线是数据线。
5.根据权利要求2所述的显示设备,其中所述遮光层具有与所述信号线的叠层结构相同的叠层结构。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述遮光层与所述栅极电极连接。
7.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括设置在所述有源层与所述栅极电极之间的栅极绝缘膜,所述栅极绝缘膜设置在包括所述有源层的上表面在内的所述基板的整个上表面上。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述有源层设置在所述栅极电极与所述基板之间。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述有源层包括氧化物半导体材料。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述有源层包括:
缓冲层上的第一氧化物半导体层;和
所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层。
11.根据权利要求10所述的显示设备,其中所述有源层具有锥形形状。
12.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第一连接电极和第二连接电极与所述第二电极设置在同一层。
13.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括设置在所述第二电极上的液晶层。
14.一种制造显示设备的方法,包括:
在基板上形成透明导电氧化物的第一导电材料层,并且在所述第一导电材料层上形成第二导电材料层,其中所述第二导电材料层的电阻率低于所述第一导电材料层的电阻率;
通过使用半色调掩模的蚀刻工序将所述第一导电材料层和所述第二导电材料层图案化来形成遮光层、信号线和第一电极;
在所述遮光层、所述信号线和所述第一电极上形成有源层;
在所述有源层上形成栅极电极,所述栅极电极与所述有源层部分地重叠;
在使用所述栅极电极作为掩模的条件下,给所述有源层选择性地提供导电性,以在所述有源层中选择性地实现导电区域;以及
形成配置为将所述有源层与所述信号线连接的第一连接电极,并且形成配置为将所述有源层与所述第一电极和所述第二电极的任意一个连接的第二连接电极,
其中所述第一电极和所述第二电极的任意一个是显示器件的像素电极,另一个是所述显示器件的公共电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的