[发明专利]包括薄膜晶体管的显示设备及制造该显示设备的方法在审
申请号: | 202011387872.X | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112992923A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 洪礼媛;李正贤;申铉秀 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 薄膜晶体管 显示 设备 制造 方法 | ||
公开了一种显示设备及制造该显示设备的方法,其中显示设备包括:基板;基板上的遮光层、信号线和第一电极;有源层;栅极电极;第二电极;同于将有源层与信号线连接的第一连接电极;和用于将有源层与第一电极和第二电极的任意一个连接的第二连接电极,其中第一电极和第二电极的任意一个是显示器件的像素电极,并且另一个是显示器件的公共电极,遮光层、信号线和第一电极设置在同一层,并且第一连接电极和第二连接电极由与第二电极相同的材料形成。本公开内容的显示设备及制造该显示设备的方法能够简化结构和制造工序。
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2019年12月12日提交的韩国专利申请第10-2019-0165362号的权益,通过引用将该专利申请整体并入于此,如同在此完全阐述一样。
技术领域
本公开内容涉及一种包括薄膜晶体管的显示设备及制造该显示设备的方法。更详细地,本公开内容涉及一种能够简化结构和制造工序的显示设备及制造该显示设备的方法。
背景技术
在屏幕上显示各种信息的显示设备是其中融合信息通信领域的核心技术的技术密集型装置。近来,显示设备已发展为实现薄外形、轻重量、便携性以及高性能。显示设备的典型示例可以是液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管显示(OLED)装置。
一般来说,执行数次使用光学掩模的掩模工序来制造显示设备。每个掩模工序需要清洗、曝光、显影和蚀刻步骤等。因此,每添加一个掩模工序,会导致制造时间和成本的增加,而且会导致缺陷的可能性和缺陷率的增加。结果,成品率降低。因而,为了降低制造成本并且提高产品良率和效率,必须简化结构和制造工序。
发明内容
鉴于上述问题进行了本公开内容,本公开内容的一个目的是提供一种能够简化结构和制造工序的显示设备及制造该显示设备的方法。
本公开内容的另一个目的是提供一种制造显示设备的方法,该方法能够通过同时形成信号线、遮光层和显示器件的第一电极来简化制造工序。此外,本公开内容的另一个目的是提供一种制造显示设备的方法,该方法能够通过省略用于形成薄膜晶体管的源极电极和漏极电极的工序来简化制造工序。
本公开内容的再一个目的是提供一种通过上述制造方法制造的显示设备。
根据本公开内容的一个方面,可通过提供一种显示设备实现上述目的和其他目的,所述显示设备包括:基板;所述基板上的遮光层、信号线和第一电极;所述遮光层、所述信号线和所述第一电极上的有源层;所述有源层上的栅极电极,所述栅极电极与所述有源层部分地重叠;所述栅极电极上的第二电极;配置为将所述有源层与所述信号线连接的第一连接电极;和配置为将所述有源层与所述第一电极和所述第二电极的任意一个连接的第二连接电极,其中所述第一电极和所述第二电极的任意一个是显示器件的像素电极,并且另一个是所述显示器件的公共电极,所述遮光层、所述信号线和所述第一电极设置在同一层,并且所述第一连接电极和所述第二连接电极由与所述第二电极相同的材料形成。
所述信号线可包括:由与所述第一电极相同的材料形成的第一导电层;和所述第一导电层上的第二导电层,其中所述第二导电层的电阻率可低于所述第一导电层的电阻率。
所述第一导电层可由透明导电氧化物(TCO)形成,并且所述第二导电层可由金属或金属合金形成。
所述信号线可以是数据线。
所述遮光层可具有与所述信号线的叠层结构相同的叠层结构。
所述遮光层可与所述栅极电极连接。
所述显示设备可进一步包括设置在所述有源层与所述栅极电极之间的栅极绝缘膜,所述栅极绝缘膜设置在包括所述有源层的上表面在内的所述基板的整个上表面上。
所述有源层可设置在所述栅极电极与所述基板之间。
所述有源层可包括氧化物半导体材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的