[发明专利]晶片承载台及晶片镶埋结构的形成方法

权利要求书

1.一种晶片承载台，其特征在于，适于承载裸晶片，所述晶片承载台包括：

底座，具有基面；以及

环状垫，位于所述底座的所述基面上，所述底座的所述基面与所述环状垫的顶面之间具有间距，其中所述环状垫的所述顶面与所述底座的所述基面构成晶片承载面，且所述裸晶片适于置于所述晶片承载面上。

2.根据权利要求1所述的晶片承载台，其特征在于，其中：

所述基面基本上为圆形，且所述基面具有基面直径；

所述环状垫具有垫宽度；且

所述垫宽度与所述基面直径的比值介于0.5％至3％。

3.根据权利要求1所述的晶片承载台，其特征在于，其中：

所述基面基本上为圆形，且所述基面具有基面直径；

所述环状垫具有垫高度；且

所述垫高度与所述基面直径的比值小于或等于0.7％。

4.根据权利要求1所述的晶片承载台，其特征在于，其中：

所述底座具有至少一凹陷；

所述环状垫具有至少一凸起；且

所述凸起嵌入于所述凹陷内。

5.根据权利要求4所述的晶片承载台，其特征在于，其中：

所述至少一凹陷为环状凹陷；

所述至少一凸起为环状凸起。

6.根据权利要求4所述的晶片承载台，其特征在于，其中：

所述至少一凹陷为多个凹陷；

所述至少一凸起为多个凸起；且

所述多个凹陷的个数大于或等于所述多个凸起的个数。

7.根据权利要求1所述的晶片承载台，其特征在于，其中所述环状垫包括：

第一环，位于所述底座的所述基面上；以及

第二环，位于所述第一环上，且至少覆盖所述第一环的顶面。

8.根据权利要求1所述的晶片承载台，其特征在于，其中所述底座及所述环状垫为同一体。

9.根据权利要求1所述的晶片承载台，其特征在于，还包括：

定位柱，位于所述基面的外侧，所述定位柱具有顶斜面，且所述顶斜面基本上至少朝向所述底座。

10.一种晶片镶埋结构的形成方法，其特征在于，包括：

将晶片、蜡以及承载盘置于如权利要求1至9中任一项所述的晶片承载台的所述晶片承载面上，其中所述蜡位于所述晶片及所述承载盘之间；以及

对所述晶片承载台上的所述晶片或所述承载盘施力，以形成晶片镶埋结构。