[发明专利]晶片承载台及晶片镶埋结构的形成方法

说明书

本发明提供一种适于承载裸晶片的晶片承载台。晶片承载台包括底座以及环状垫。底座具有基面。环状垫位于底座的基面上，底座的基面与环状垫的顶面之间具有间距。环状垫的顶面与底座的基面构成晶片承载面，且裸晶片适于置于晶片承载面上。一种晶片镶埋结构的形成方法亦被提出。

技术领域

本发明涉及一种晶片承载台，尤其是涉及一种适于形成有蜡式晶片镶埋结构的晶片承载台及晶片镶埋结构的形成方法。

背景技术

晶片(wafer)的加工流程可以包括长晶(crystal growth)、切片(slicing)、研磨(lapping)、蚀刻(etching)、抛光(polishing)和/或清洗(cleaning)等步骤。加工完成后的晶片可被称为裸晶片(bare wafer)。之后，可以在裸晶片的表面上进行对应的半导体工艺，而形成芯片。

在进行晶片的研磨或抛光步骤之前，可以会将蜡涂附在用于研磨或抛光的承载盘上。然后，将未被研磨或抛光的晶片贴附至承载盘上的蜡。接着，可以对承载盘和/或晶片施加适当的压力，而使未被研磨或抛光的晶片可以经由蜡而紧密地黏贴在承载盘上，以构成晶片镶埋结构。晶片镶埋结构可以包括承载盘、位于承载盘上的蜡以及镶埋于蜡的晶片。之后，再将前述的晶片镶埋结构移至研磨设备或抛光设备，以对晶片进行研磨或抛光。

裸晶片的平坦度会对半导体工艺的良率或质量有一定的影响。因此，如何提升裸晶片的晶片整体的平坦度，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

本发明是针对一种晶片承载台，对使用其所制作的晶片镶埋结构的裸晶片进行抛光，可以提升晶片整体的平坦度。

根据本发明的实施例，晶片承载台适于承载裸晶片。晶片承载台包括底座以及环状垫。底座具有基面。环状垫位于底座的基面上。底座的基面与环状垫的顶面之间具有间距。环状垫的顶面与底座的基面构成晶片承载面，且裸晶片适于置于晶片承载面上。

根据本发明的实施例，晶片镶埋结构的形成方法包括以下步骤：将晶片、蜡以及承载盘置于前述的晶片承载台的晶片承载面上，其中蜡位于晶片及承载盘之间；以及对晶片承载台上的晶片或承载盘施力，以形成晶片镶埋结构。

基于上述，再对使用本发明的晶片承载台所制作的晶片镶埋结构的裸晶片进行抛光，可以提升晶片整体的平坦度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。

附图说明

图1A是依照本发明的第一实施例的一种晶片承载台的立体示意图；

图1B是依照本发明的第一实施例的一种晶片承载台的部分剖视示意图；

图2是依照本发明的第二实施例的一种晶片承载台的部分剖视示意图；

图3A是依照本发明的第三实施例的一种晶片承载台的爆炸示意图；

图3B是依照本发明的第三实施例的一种晶片承载台的部分剖视示意图；

图4A是依照本发明的第四实施例的一种晶片承载台的爆炸示意图；

图4B是依照本发明的第四实施例的一种晶片承载台的立体示意图；

图5是依照本发明的第五实施例的一种晶片承载台的部分剖视示意图；

图6是依照本发明的第六实施例的一种晶片承载台的立体示意图；

图7是依照本发明的一实施例的一种形成裸晶片镶埋结构的部分方法的部分立体示意图；

图8A至图8B是依照本发明的一实施例的一种形成裸晶片镶埋结构的部分方法的部分侧视示意图；

图9为比较例的与测试例1之间的比较图；