[发明专利]一种用于提高显示器件分辨率和提升视觉敏锐度的混光结构在审
申请号: | 202011393946.0 | 申请日: | 2020-12-03 |
公开(公告)号: | CN112382652A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 潘子盛;林文斌;刘志伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市极域光学科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙) 44585 | 代理人: | 钟斌 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 提高 显示 器件 分辨率 提升 视觉 敏锐 结构 | ||
1.一种用于提高显示器件分辨率和提升视觉敏锐度的混光结构,其特征在于:它包括三层TFT及发光层,分别为第一层TFT及发光层、第二TFT及发光层和第三TFT及发光层,且第一层TFT及发光层、第二TFT及发光层和第三TFT及发光层在空间上重叠设置;其中,第一层TFT及发光层包括第一层TFT开关和红色自发光层,第一层TFT开关镀设在红色自发光层上;第二层TFT及发光层包括第二层TFT开关和绿色自发光层,第二层TFT开关镀设在绿色自发光层上;第三层TFT及发光层包括第三层TFT开关和蓝色自发光层,第三层TFT开关镀设在蓝色自发光层上;第一层TFT开关、第二层TFT开关、第三层TFT开关均分别用于独立控制各自RGB sub-pixel;红色自发光层上设多个红光发光芯片,绿色自发光层上设多个绿光发光芯片,蓝色自发光层上设多个蓝光发光芯片,红色自发光层、绿色自发光层和蓝色自发光层分别设在独立基板或基板上。
2.如权利要求1所述的用于提高显示器件分辨率和提升视觉敏锐度的混光结构,其特征在于:所述混光结构还包括护眼光谱结构;所述护眼光谱结构包含红色发光体、绿色发光体和蓝色发光体等三种发光体,其形态可能有有机发光体或者量子点自发光体,该发光体具有半导体发光特性,三种发光体颜色分别为红色自发光层、绿色自发光层和蓝色自发光层,其能量大小可根据数据信号的电压进行调整。
3.如权利要求1或2所述的用于提高显示器件分辨率和提升视觉敏锐度的混光结构,其特征在于:所述第一层TFT开关、第二层TFT开关和第三层TFT开关均包括数据信号、扫描信号、自发光体、共电极、MOS1开关、MOS2开关、储电电容和开关电源,共电极与自发光体的阴极相连接,自发光体的阳极通过MOS2开关与开关电源相连接,MOS2开关、MOS1开关与开关电源之间设储电电容,MOS1开关分别与数据信号和扫描信号相连接。
4.如权利要求3所述的用于提高显示器件分辨率和提升视觉敏锐度的混光结构,其特征在于:所述共电极可设在独立镀层或者在TFT开关层上。
5.如权利要求1所述的用于提高显示器件分辨率和提升视觉敏锐度的混光结构,其特征在于:预设440nm-460nm的蓝光提供显示所需的蓝色部分能量,半波宽25-40nm;预设510-530nm的绿光,提供显示所需的绿色部分能量,使用610-640nm的红光,其二种波段的光谱半波宽在10-30nm之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的