[发明专利]一种用于提高显示器件分辨率和提升视觉敏锐度的混光结构在审
申请号: | 202011393946.0 | 申请日: | 2020-12-03 |
公开(公告)号: | CN112382652A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 潘子盛;林文斌;刘志伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市极域光学科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙) 44585 | 代理人: | 钟斌 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 提高 显示 器件 分辨率 提升 视觉 敏锐 结构 | ||
本发明公开了一种用于提高显示器件分辨率和提升视觉敏锐度的混光结构。它包括三层TFT及发光层,分别为第一层TFT及发光层、第二TFT及发光层和第三TFT及发光层,且第一层TFT及发光层、第二TFT及发光层和第三TFT及发光层在空间上重叠设置;红色自发光层、绿色自发光层和蓝色自发光层分别设在独立基板或基板上。所述混光结构还包括护眼光谱结构。本发明中预设440nm‑460nm的蓝光提供显示所需的蓝色部分能量,半波宽25‑40nm;预设510‑530nm的绿光,提供显示所需的绿色部分能量,使用610‑640nm的红光,其二种波段的光谱半波宽在10‑30nm之间。它具有结构简单和工作安全可靠等特点。能够提高显示器件分辨率和提升视觉敏锐度。可以有效缓解人眼疲劳。
技术领域
本发明涉及一种用于提高显示器件分辨率和提升视觉敏锐度的混光结构。
背景技术
LCD(Liquid Crystal Display),即液晶显示屏。LCD是平面超薄的显示设备,它由一定数量的彩色或黑白像素组成,放置于光源或者反射面前方。液晶显示器功耗很低,因此,适用于使用电池的电子设备。它的主要原理是以电流刺激液晶分子产生点、线、面配合背部灯管构成画面。单色的LCD已经基本退出市场,彩色LCD主要又分为STN和TFT两种,其中TFT(Thin Film Transistor)LCD,又称为主动式电晶薄膜晶体管液晶显示屏,也就是被很多人俗称的真彩液晶显示屏;DSTN LCD,即双扫瞄液晶显示屏。传统LCD由背光提供光源,通过彩色滤光片将光分为红绿蓝三色,由电信号决定液晶的偏转和开关来控制红绿蓝三色在不同位置组合成需要的颜色,最终组合为画面;有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。OLED显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。但是,作为高端显示屏,价格上也会比液晶电视要贵。OLED无需背光源,RGB有机发光体(或者白色有机发光体或其他颜色转换)在TFT控制下产生有序光信号,组成画面,其子像素和LCD类似,在空间上呈竖排或横排;其他显示形式,包含Micro-LED或Q-LED像素点在空间上的排列形式,同传统的LCD或者OLED。在中国发明专利说明书CN209604935U中公开了一种RGB混光结构,其包括RGB三色LED芯片、混光结构和具有聚光作用的聚光结构;其中混光结构包括混光柱;混光柱形成有上下贯通的混光孔,混光孔的内壁为漫反射面;RGB三色LED芯片配合于混光柱底部上,RGB三色LED芯片的发光面正对混光孔;聚光结构配合于混光柱顶部上且聚光结构的入光侧正对混光孔上端开口。但是,目前流行的显示方式LCD、OLED、LED户外显示、Micro-LED、QLED等,其像素排列一般为垂直排列或水平排列,受限于工艺制程能力的限制,其分辨率有限;由于目前的显示方式未考虑光谱和人眼的匹配特性,不利于人眼成像,从而易引起视觉疲劳等问题;对于自发光显示器件都采用平面排列像素的方式,在空间上像素分布有限,仅依靠工艺制程的改善提供分辨率,很难大幅度的提升分辨率。目前的显示器件,RGB sub-pixel的排列方式为平面排列,对于LCD来说,因为其像素点不能自发光需要背光提供光源才能发光,故不能将sub-pixel在空间上重叠。
发明内容
针对上述现有技术,本发明要解决的技术问题在于提供一种用于提高显示器件分辨率和提升视觉敏锐度的混光结构。它具有结构简单和工作安全可靠等特点。能够提高显示器件分辨率和提升视觉敏锐度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的