[发明专利]基片的刻蚀方法和薄膜晶体管

权利要求书

1.一种基片的刻蚀方法，其特征在于，包括：

在基片的金属银层上形成具有预定图案的掩膜层；

向刻蚀腔内通入刻蚀气体，通过激发所述刻蚀气体为第一等离子体，刻蚀所述掩膜层和所述金属银层，以在所述金属银层上形成刻蚀沟槽，其中，所述第一等离子体包括甲基离子和氢离子中的至少一者。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述向刻蚀腔内通入刻蚀气体，通过激发所述刻蚀气体为第一等离子体，刻蚀所述掩膜层和所述金属银层，以在所述金属银层上形成刻蚀沟槽之前还包括：

向所述刻蚀腔内通入轰击气体，激发所述轰击气体为第二等离子体，用于破坏所述金属银层的金属键。

3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述轰击气体包括氩气、氦气和氮气中的至少一者。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一等离子体还包括氩离子、氦离子和氮离子中的至少一者。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述刻蚀腔内刻蚀所述掩膜层和所述金属银层时，采用的上射频电源和下射频电源的频率均为13.56MHz，上射频电源功率为600-1500W，下射频电源功率为100-500W，工艺气压为3～20mT，温度为20～50℃，电流比例为0.2～0.8。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述掩膜层包括光刻胶掩膜层和抗反射掩膜层，所述在基片的金属银层上形成具有预定图案的掩膜层包括：

在基片上覆盖金属银层；

在金属银层上覆盖抗反射掩膜层；

在所述抗反射掩膜层上覆盖光刻胶掩膜层；

曝光所述光刻胶掩膜层和所述抗反射掩膜层，形成具有预定图案的掩膜层。

7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述向刻蚀腔内通入刻蚀气体，通过激发所述刻蚀气体为第一等离子体，刻蚀所述掩膜层和所述金属银层，以在所述金属银层上形成刻蚀沟槽还包括：

清洗所述基片上残余的所述掩膜层。

8.根据权利要求7所述的刻蚀方法，其特征在于，所述清洗所述基片上残余的所述掩膜层之后还包括：

去除所述基片上附着的含银和/或含甲基离子的刻蚀副产物。

9.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，所述清洗所述基片上残余的所述掩膜层，以及所述去除所述基片上附着的含银和/或含甲基离子的刻蚀副产物之间还包括：

降低所述基片的温度。

10.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管基于权利要求1-9中任一项权利要求所述的刻蚀方法制作而成。