[发明专利]基片的刻蚀方法和薄膜晶体管

说明书

本发明公开一种基片的刻蚀方法和薄膜晶体管，基片的刻蚀方法包括：在基片的金属银层上形成具有预定图案的掩膜层；向刻蚀腔内通入刻蚀气体，通过激发所述刻蚀气体为第一等离子体，刻蚀所述掩膜层和所述金属银层，以在所述金属银层上形成刻蚀沟槽，其中，所述第一等离子体包括甲基离子和氢离子中的至少一者。采用上述刻蚀方法可以解决目前采用氧离子对金属银进行刻蚀的过程中，产生的氧化银会粘附且堆积在刻蚀孔的内壁，导致刻蚀孔被堵塞，进而刻蚀失败率较高的问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种基片的刻蚀方法和薄膜晶体管。

背景技术

金属银因其良好的性能而被广泛应用在诸多领域中，如在显示器中，可以使用银形成薄膜晶体管。目前，通常采用氧离子对金属银进行刻蚀，但是，由于刻蚀形成的氧化银的沸点相对较高，导致采用这种刻蚀方式对金属银层910进行刻蚀的过程中，如图1所示，产生的氧化银930会粘附且堆积在刻蚀孔的内壁，导致刻蚀孔被堵塞，进而刻蚀失败率较高。

发明内容

本发明公开一种基片的刻蚀方法和薄膜晶体管，以解决目前采用氧离子对金属银进行刻蚀的过程中，产生的氧化银会粘附且堆积在刻蚀孔的内壁，导致刻蚀孔被堵塞，进而刻蚀失败率较高的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

第一方面，本发明公开了一种基片的刻蚀方法，包括：

在基片的金属银层上形成具有预定图案的掩膜层；

向刻蚀腔内通入刻蚀气体，通过激发所述刻蚀气体为第一等离子体，刻蚀所述掩膜层和所述金属银层，以在所述金属银层上形成刻蚀沟槽，其中，所述第一等离子体包括甲基离子和氢离子中的至少一者。

第二方面，本发明公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管基于上述刻蚀方法制作而成。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本申请实施例公开一种基片的刻蚀方法，通过在基片的金属银层上形成具有预定图案的掩膜层，使得在后续刻蚀过程中，可以在金属银层上形成与前述预定图案形状相同的刻蚀沟槽。在刻蚀过程中，刻蚀气体在刻蚀腔内被激发成第一等离子体，第一等离子体包括甲基离子和氢离子中的至少一者，以刻蚀掩膜层和金属银层，由于掩膜层上具有预定图案，从而随着刻蚀的进行，可以在金属银层上形成刻蚀沟槽。同时，在刻蚀过程中，甲基离子和氢离子均可以与金属银反应，且由于反应形成的AgH或AgCH₃均不能稳定存在，从而使前述产物不会稳定地附着在反应沟槽的表面，而是可以随着刻蚀的进行随气流被抽离至刻蚀腔之外，进而，采用上述刻蚀方法在基片的金属银层上形成刻蚀沟槽时，不会出现反应产物粘附且堆积在刻蚀沟槽的表面和内壁的情况，保证刻蚀沟槽的正常形成，提升刻蚀成功率。。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是现有技术中刻蚀金属银的产品示意图；

图2是本发明实施例公开的基片的刻蚀方法的过程示意图；

图3是采用本发明实施例公开的基片的刻蚀方法刻蚀形成的产品的实际效果图；

图4是采用本发明实施例公开的基片的刻蚀方法刻蚀形成的产品的另一种实际效果图；

图5是本发明实施例公开的基片的刻蚀方法的流程图。

附图标记说明：

100-刻蚀腔、200-上电极、300-下电极、400-进气管路、500-排气管路、700-基片、810-第二等离子体、820-第一等离子体、830-银分子、840-刻蚀副产物、910-金属银层、930-氧化银。

具体实施方式