[发明专利]分栅沟槽MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 202011396385.X | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112490292A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 谭在超;丁国华;罗寅 | 申请（专利权）人： | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 杜静静 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
1.一种分栅沟槽MOSFET，其特征在于，该MOSFET结构中栅源多晶硅间的隔离氧化层是通过在栅极沟槽内淀积一层氧化膜，再经高温退火回流形成。
2.根据权利要求1所述的分栅沟槽MOSFET，其特征在于，所述氧化膜是硼磷硅玻璃BPSG。
3.一种分栅沟槽MOSFET的工艺制造方法，其特征在于，制造方法包含如下步骤：
步骤一：在Si衬底片表面生长N型外延层；
步骤二：利用沟槽光刻版进行光刻工艺，对沟槽位置曝光，再通过干法刻蚀，将曝光位置刻蚀出深沟槽；
步骤三：在沟槽内及硅片表面生长氧化硅；
步骤四：沟槽内填充源极多晶硅并进行回刻；
步骤五：利用湿法腐蚀对表面及侧壁氧化硅回刻；
步骤六：源极多晶硅上淀积BPSG氧化膜；
步骤七：BPSG高温回流；
步骤八：利用湿法腐蚀对硅片表面及沟槽侧壁多余BPSG氧化膜进行移除，形成栅极沟槽；
步骤九：利用干法热氧化工艺生长栅氧化硅；
步骤十：淀积栅极多晶硅并进行回刻；
步骤十一：进行体区、源区注入并退火
步骤十二：淀积层间介质及接触孔工艺制作；
步骤十三：进行表面金属工艺，完成最终器件结构。
4.根据权利要求3所述的分栅沟槽MOSFET的工艺制造方法，其特征在于，所述步骤二中干法刻蚀形成的深沟槽其深度在2微米至20微米之间，宽度在0.2微米至3微米之间。
5.根据权利要求3所述的分栅沟槽MOSFET的工艺制造方法，其特征在于，所述步骤三中沟槽内及硅片表面生长氧化硅通过直接热氧化或者淀积工艺实现。
6.根据权利要求3所述的分栅沟槽MOSFET的工艺制造方法，其特征在于，所述步骤五中湿法回刻时侧壁保留300埃至1000埃。
7.根据权利要求3所述的分栅沟槽MOSFET的工艺制造方法，其特征在于，所述步骤七中硼磷硅玻璃BPSG高温退火回流的温度在800℃至1000℃之间，退火过程中按比例通入氮气与氧气的混合气体。
8.根据权利要求7所述的分栅沟槽MOSFET的工艺制造方法，其特征在于，退火回流时通入氮气与氧气的比例在10：1至20：1之间。
9.根据权利要求7所述的分栅沟槽MOSFET的工艺制作方法，其特征在于，退火回流时通入纯氮气。
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