[发明专利]一种太阳能晶硅电池制绒方法、混合酸洗方法及混合酸洗药液

说明书

本发明公开一种太阳能晶硅电池制绒方法、混合酸洗方法及混合酸洗药液，所述制绒方法按照以下步骤依次顺序实施：S1，粗抛硅片表面，水洗；S2，对硅片实施制绒，水洗；S3，混合酸洗、水洗；S4，慢提拉水洗所述硅片；S5，烘干所述硅片。制绒方法，在保证硅片清洗效果的基础上，解决后清洗槽导致的粘片问题，同时降低能耗与化学品耗量，简化流程。本申请所公开的药液，可以在常温25℃‑30℃就可以完成清洗；且药液内包含氧化性的臭氧水，可以氧化去除硅片表面残留的有机物，同时臭氧水形成的SiO2，可以被过量的HF快速去除，起到表面清洁作用，Hcl可以络合掉硅片表面的金属离子，起到更好的硅片清洗效果。

技术领域

本发明属于太阳能光伏领域，具体涉及一种太阳能晶硅电池制绒方法、混合酸洗方法及混合酸洗药液。

背景技术

在光伏业蓬勃发展的眼下，光伏发电成本降低和转换效率提高就成了各大光伏企业及研发机构追求的目标。目前市场上绝大多数太阳能晶硅电池都是采用以下方法制绒得到：

粗抛-预清洗-制绒-水洗-后清洗，采用H2O2和KOH的混合液对硅片进行清洗，混酸洗，采用Hcl和HF的混合酸溶液对硅片进行清洗，水洗-慢提拉-烘干；其中：

①粗抛：去除硅片表面的加工损伤层，初步形成绒面；

②制绒：通过碱洗的各向异性腐蚀，在硅片表面形成凹凸不平的金字塔绒面；

③水洗：清洗掉制绒槽在硅片上的残留药液；

④后清洗：去除硅片上残留的制绒槽内的有机物；

⑤混酸：使用Hcl络合硅片表面的金属杂质，HF起到疏水作用；

⑥水洗：清洗掉前一个酸槽的酸残留；

⑦慢提拉：高温水洗清洗前道残液，慢提保证花篮内相邻硅片不会粘片，且高温水在短时间能够蒸发；

⑧烘干：硅片在槽内被高温气体烘干；

上述步骤存在以下问题：

1、后清洗主要使用H2O2与KOH混合液，温度控制在65℃，在去除有机物等残留的同时，因H2O2在高温下的分解与KOH与Si反应形成的气泡的集聚下，气泡变大挤压硅片，最终形成粘片，粘片位置会留下外观色差，形成产品返工or降级。

2、为了H2O2的氧化效果，需要高温65℃左右，而H2O2在高温下分解加剧，形成电力及化学品的浪费。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种太阳能晶硅电池制绒方法，在保证硅片清洗效果的基础上，解决后清洗槽导致的粘片问题，同时降低能耗与化学品耗量，简化流程。

为达到上述目的，本发明通过以下方案来实现：一种太阳能晶硅电池制绒方法，所述制绒方法按照以下步骤依次顺序实施：

S1，粗抛硅片表面，水洗S2，对硅片实施制绒，水洗S3，混合酸洗、水洗，S4，慢提拉所述硅片，S5，烘干所述硅片。

进一步的，所述S3具体为：采用Hcl、HF以及O3水制成的混合清洗药液对所述硅片进行清洗。

更进一步的，所述Hcl、HF以及O3水制成的混合清洗药液为：以电阻率18MΩ以上的H2O为基础药液，与O3气体形成的质量分数0.001%-0.005%臭氧水溶液，与质量分数8%-15%的HF以及质量分数5-10%的Hcl混合组成。

更进一步的，所述S3具体为采用混合清洗药液在常温25℃-30℃的环境下对硅片进行清洗，去除硅片表面的金属杂质，之后，再用清水去除硅片表面的混合清洗药液。

进一步的，所述S1具体为：去除硅片表面的加工损伤层，初步形成绒面，然后再用溢流水洗，清洗硅片表面残留药液。

进一步的，所述S4具体为：高温水洗清洗前道残液，慢提保证花篮内相邻硅片不会粘片，且高温水在短时间能够蒸发。