[发明专利]用于深硅刻蚀后晶片的传送装置在审
| 申请号： | 202011399198.7 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112420575A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 冯建炜 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67;G01V8/10 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 唐静芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 刻蚀 晶片 传送 装置 | ||
1.一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，包括：
检测机台和安装在所述检测机台上的机台手臂，所述检测机台上设有用于对晶片进行检测的检测组件；所述机台手臂包括起抓取作用的抓取部、起限位作用的限位部和设置在所述机台手臂上的传感器。
2.如权利要求1所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述抓取部被配置成与所述晶片大小相适应的U型结构，所述限位部设置在所述U新结构的平滑底端，且被配置在位于所述晶片的边缘位置。
3.如权利要求2所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述限位部设置在所述平滑底端的上方，且所述限位部被配置与所述平滑底端相同的弧形结构。
4.如权利要求3所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述传感器包括设置在所述抓取部上的发射端和设置在所述限位部上的接收端；或者，包括设置在所述抓取部上的接收端和设置在所述限位部上的发射端。
5.如权利要求4所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，当所述抓取部承载所述晶片时，所述接收端无法检测到来自所述发射端的信号。
6.如权利要求5所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，设置在所述抓取部上的发射端或接收端为去除屏蔽层后的发射光纤或接收光纤。
7.如权利要求6所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述抓取部上设有用于安装所述发射端或接收端的凹槽。
8.如权利要求1至7中任一项所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述传感器与所述检测机台电性连接，以给所述检测机台发送信号。
9.如权利要求1所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述抓取部上还设有防滑件，以增加所述晶片与抓取部之间的摩擦力。
10.如权利要求9所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述防滑件为橡胶防滑圈。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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