[发明专利]用于深硅刻蚀后晶片的传送装置

说明书

本申请涉及一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其包括：检测机台和安装在所述检测机台上的机台手臂，所述检测机台上设有用于对晶片进行检测的检测组件；所述机台手臂包括起抓取作用的抓取部、起限位作用的限位部和设置在所述机台手臂上的传感器。该深硅刻蚀后晶片的传送装置，可以有效检测各种沉膜颜色的晶圆，扩大了装置的检测范围，有效地避免了传送中晶片出现脱片的现象。

技术领域

本发明涉及一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，属于半导体制造领域。

背景技术

微机电系统的制造工艺中，晶片是必不可少的器件之一，MEMS架构的构建过程中，通常需要对晶片进行多个工序的加工，大多数工序都需要对晶片进行抓取，目前，取晶片的手臂一般采用真空吸附的方式对晶片进行吸取，而深硅刻蚀后的晶片，被刻蚀的区域厚度低至20μm，由于厚度太小，真空会将晶片吸破，造成损失，并导致晶片检测系统无法检测到晶片。由于受传送空间的影响，手臂厚度无法增加，因此，目前通常通过检测晶面识别产品。但是当晶面沉膜颜色较暗时，由于手臂上传感器的发射段和接收端在一起，光线发射到晶面后反射光十分微弱，检测端无接收信号，导致无法准确侦测产品，机台无法正常传片。同时，部分晶片在刻蚀后会出现翘曲现象，现有的手臂在抓取过程中，存在往往由于摩擦力不足导致抓取晶圆时会脱片现象。

发明内容

本发明的目的在于提供一种深硅刻蚀后晶片的传送装置，可以有效检测各种沉膜颜色的晶圆，扩大了装置的检测范围，有效地避免了传送中晶片出现脱片的现象。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，包括：

检测机台和安装在所述检测机台上的机台手臂，所述检测机台上设有用于对晶片进行检测的检测组件；所述机台手臂包括起抓取作用的抓取部、起限位作用的限位部和设置在所述机台手臂上的传感器。

进一步地，所述抓取部被配置成与所述晶片大小相适应的U型结构，所述限位部设置在所述U新结构的平滑底端，且被配置在位于所述晶片的边缘位置。

进一步地，所述限位部设置在所述平滑底端的上方，且所述限位部被配置与所述平滑底端相同的弧形结构。

进一步地，所述传感器包括设置在所述抓取部上的发射端和设置在所述限位部上的接收端；或者，包括设置在所述抓取部上的接收端和设置在所述限位部上的发射端。

进一步地，当所述抓取部承载所述晶片时，所述接收端无法检测到来自所述发射端的信号。

进一步地，设置在所述抓取部上的发射端或接收端为去除屏蔽层后的发射光纤或接收光纤。

进一步地，所述抓取部上设有用于安装所述发射端或接收端的凹槽。

进一步地，所述传感器与所述检测机台电性连接，以给所述检测机台发送信号。

进一步地，所述抓取部上还设有防滑件，以增加所述晶片与抓取部之间的摩擦力。

进一步地，所述防滑件为橡胶防滑圈。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明的深硅刻蚀后晶片的传送装置采用托取的方式来抓取晶片，并设置防滑件来保证抓取牢固，同时，设置传感器检测是否成功抓取，解决了真空吸附晶片会造成晶片破碎的问题，避免了不必要的损失，提高了生产效率。

并且，传感器采用发射端和接收端分体式设计，考虑到空间不足的问题，在机台手臂的抓取部上开设凹槽，以便于光纤排线，并去除抓取部光纤的屏蔽层。通过设定反向检测方式，当接收端检测不到信号时输出信号，并将信号传输给检测机台。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明