[发明专利]制造MOSFET的方法及其由其制造的中间结构

权利要求书

1.一种制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管包括与沟道层接触的源电极和漏电极，所述方法包括：

提供基板(25)，所述基板(25)包括半导体层(10)、覆盖在沟道层(30)上的第一高k介电材料层(40)、和覆盖在半导体层(10)上的沟道层(30)，

执行图案化处理，使得至少所述第一高k介电材料层被从用于形成源电极的第一区域(I)和用于形成漏电极的第二区域(II)中移除，使得包括所述第一高k介电材料的图案化层的用于形成栅电极的第三区域(III)被形成在所述第一区域(I)和所述第二区域(II)之间，

在所述第一区域(I)中形成所述源电极(50)并在所述第二区域(II)中形成所述漏电极(51)，其中所述源电极(50)和所述漏电极(51)具有暴露的末端并且包括易受自限氧化影响的材料，

将所述源电极(50)和所述漏电极(51)置于氧化介质中，从而将所述源电极和所述漏电极的所述暴露的末端转化为氧化物的共形层(60)，以及

仅在所述第三区域(III)中的所述第一高k介质材料的图案化层(41)上提供所述栅电极(150)。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化处理从所述第一区域(I)和从所述第二区域(II)中移除所述第一高k介电材料层(40)和沟道层(30)两者，并且其中所述源电极和所述漏电极置于所述氧化介质的持续时间被配置，使得所述源电极(50)和所述漏电极(51)的与图案化的沟道层(31)直接接触的至少一部分保持未氧化状态，使得所述未氧化部分与所述图案化的沟道层电接触。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述易受自限氧化影响的材料被包括在所述源电极(50)和所述漏电极(51)的上部(A)中，所述上部(A)可位于所述源电极(50)和所述漏电极(51)的下部(B)上并与下部(B)接触，所述下部：

a.与所述沟道层(31)电接触，

b.包括不可被氧化介质氧化的材料。

4.如前述任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成所述栅电极(150)之后，从所述源电极(50)和从所述漏电极(51)移除所述氧化物的共形层(60)，由此，在所述栅电极(150)和所述源电极(50)之间以及在所述栅电极(150)和所述漏电极(51)之间形成空隙(52)。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述源电极(50)和所述漏电极(51)上提供介电材料层(61)，所述介电材料层(61)的厚度使得空隙(52)被完全填充。

6.如前述任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述基板(25)还包括夹在所述沟道层(30)和可氧化导电材料层(80)之间的第二高k介电材料层(90)，其中所述方法还包括在执行所述图案化处理之后，将所述第一区域(I)和所述第二区域(II)中的所述可氧化导电材料层的部分替换为介电层(85、87)，由此，所述可氧化导电材料层的一部分(86)保留在第三区域(III)中，进而形成另一栅电极，并且其中在所述第一区域(I)和所述第二区域(II)中的所述介电层(85、87)的厚度至少与所述可氧化导电材料层的在所述第三区域(III)中的所述部分(86)的厚度相同。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，通过执行所述图案化处理从所述第一区域(I)和所述第二区域(II)中移除所述第一高k介电材料层(40)，并且所述替换包括：

通过所述沟道层(30)和第二高k介电材料层(90)执行氧注入处理，并且之后

执行退火处理，以及

从所述第一区域(I)和从所述第二区域(II)中移除所述沟道层(30)。