[发明专利]具有氧化物半导体图案的显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

像素区，每一个像素区包括驱动电路和连接到驱动电路的发光器件，所述驱动电路包括氧化物半导体图案；

栅极驱动器，设置在所述像素区的外部，所述栅极驱动器通过栅极线连接到每一个像素区；

封装元件，所述封装元件与所述栅极线重叠；及

在所述栅极线和所述封装元件之间的第一拦阻线，所述第一拦阻线与所述栅极线相交，

其中，所述第一拦阻线包括氢拦阻材料。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氢拦阻材料包括钛(Ti)。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一拦阻线设置在所述像素区与所述栅极驱动器之间。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在每一个像素区中，所述发光器件设置在所述氧化物半导体图案与所述封装元件之间。

5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在所述像素区的外部的焊盘区，

其中，所述焊盘区通过数据线连接到每一个像素区，

其中，所述数据线包括与所述第一拦阻线相同的材料。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一拦阻线与所述数据线间隔开。

7.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在所述第一拦阻线与所述栅极驱动器之间的第二拦阻线。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二拦阻线与所述第一拦阻线并排延伸。

9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在所述像素区的外部的焊盘区，

其中，所述焊盘区通过数据线连接到每一个像素区，

其中，所述第一拦阻线连接到所述焊盘区。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动电路包括与所述氧化物半导体图案的沟道区重叠的栅电极，

其中，所述栅电极连接到所述栅极线中的一条。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述驱动电路还包括设置在所述氧化物半导体图案和所述栅电极之间的栅绝缘层、连接到所述氧化物半导体图案的源极区的源电极、及连接到所述氧化物半导体图案的漏极区的漏电极，

其中，所述源电极和所述漏电极设置在与所述第一拦阻层相同的层上。

12.一种显示装置，包括：

器件基板，包括显示区和非显示区，所述非显示区设置在所述显示区的外部；

栅极驱动器，设置在所述器件基板的所述非显示区上，所述栅极驱动器通过栅极线连接到所述显示区；

拦阻线，与所述栅极线相交，所述拦阻线包括氢拦阻材料；及

封装元件，覆盖所述栅极线，

其中，所述拦阻线设置在所述栅极线和所述封装元件之间。

13.根据权利要求12所述的显示装置，还包括在所述器件基板的所述显示区上的驱动电路，

其中，每一个驱动电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管连接到所述栅极线中的一条栅极线，及

其中，所述薄膜晶体管包括氧化物半导体图案。

14.根据权利要求12所述的显示装置，还包括设置在所述器件基板的所述非显示区上的焊盘区，所述焊盘区通过数据线连接到所述显示区，

其中，每一条数据线的堆叠结构包括由与所述拦阻线相同的材料形成的至少一层。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，每一条数据线的的堆叠结构不同于所述拦阻线的堆叠结构。

16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述拦阻线沿着所述显示区的边缘设置在所述显示区和所述栅极驱动器之间。