[发明专利]具有氧化物半导体图案的显示装置

说明书

公开了一种显示装置，在显示装置中，每个像素区的薄膜晶体管包括氧化物半导体图案。像素区可以设置在器件基板的显示区上。显示区可以通过栅极线电连接到栅极驱动器。封装元件可以设置在每个像素区的薄膜晶体管上。封装元件可以延伸超过显示区。栅极线可以与封装元件重叠。拦阻线可以设置在栅极线和封装元件之间。拦阻线可以包括氢拦阻材料。因此，在显示装置中，可以防止薄膜晶体管的特性由于封装元件而劣化。

本申请要求享有于2019年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2019-0180187的优先权，该申请通过引用的方式结合于此，如同在此完全阐述一样。

技术领域

本公开内容涉及一种显示装置，在显示装置中，每个像素区的薄膜晶体管包括氧化物半导体图案。

背景技术

通常，诸如监视器、TV、笔记本电脑和数码相机的电子设备包括显示装置以实现图像。例如，显示装置可以包括发光器件。发光器件可以发射显示特定颜色的光。例如，发光器件可以包括设置在第一电极和第二电极之间的发光层。

显示装置可以包括电连接到发光器件的驱动电路，以及覆盖驱动电路和发光器件的封装元件。驱动电路可以根据栅极信号向发光器件提供与数据信号对应的驱动电流。例如，驱动电路可以包括至少一个薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括氧化物半导体以防止由于漏电流引起的缺陷。封装元件可以防止发光器件由于外部冲击和湿气而损坏。例如，封装元件可以具有堆叠无机绝缘层和有机绝缘层的结构。

栅极信号可以通过栅极线传输。生成栅极信号的栅极驱动器可以设置在显示区的外部，在显示区中设置驱动电路和发光器件。例如，设置在显示区中的驱动电路可以通过栅极线连接到设置在显示区外部的栅极驱动器。封装元件可以在栅极线上延伸。然而，在显示装置中，从封装元件扩散的氢可能通过栅极线移动。因此，在显示装置中，氢可以通过栅极线流入驱动电路。因此，在显示装置中，氧化物半导体图案可能被氢劣化，并且薄膜晶体管的特性可能降低。

发明内容

因此，本发明涉及一种显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。

本公开内容的目的是提供一种能够防止氢通过栅极线流入的显示装置。

本公开内容的另一目的是提供一种能够防止连接到每个像素区的驱动电路的栅极线和/或数据线用作氢流入路径的显示装置。

本发明的其他优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员而言，在研究以下内容之后将变得显而易见，或者可以从本发明的实践中获知。本发明的目的和其他优点可以通过书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些目的和其它优点，并且根据本发明的目的，如在本文具体实施和广泛描述的，提供了一种包括像素区的显示装置。每个像素区包括驱动电路和发光器件。驱动电路包括氧化物半导体图案。发光器件连接到驱动电路。栅极驱动器设置在像素区的外部。栅极驱动器通过栅极线连接到像素区。封装元件设置在像素区上。封装元件与栅极线重叠。第一拦阻线设置在栅极线和封装元件之间。第一拦阻线与栅极线相交。第一拦阻线包括氢拦阻材料。

氢拦阻材料可以包括钛(Ti)。

焊盘区可以设置在像素区的外部。焊盘区可以通过数据线连接到像素区。数据线可以包括与第一拦阻线相同的材料。

第一拦阻线可以与数据线间隔开。

第二拦阻线可以设置在第一拦阻线和栅极驱动器之间。第二拦阻线可以与第一拦阻线并排延伸。

第一拦阻线可以连接到焊盘区。

驱动电路可以包括与氧化物半导体图案的沟道区重叠的栅电极、设置在氧化物半导体图案和栅电极之间的栅绝缘层、连接到氧化物半导体图案的源极区的源电极、以及连接到氧化物半导体图案的漏极区的漏电极。源电极和漏电极可以设置在与第一拦阻线相同的层上。