[发明专利]小型化波导转微带耦合装置及实现方法有效
申请号: | 202011403327.5 | 申请日: | 2020-12-04 |
公开(公告)号: | CN112201917B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 商桂川 | 申请(专利权)人: | 四川斯艾普电子科技有限公司 |
主分类号: | H01P11/00 | 分类号: | H01P11/00;H01P5/16;H01P5/08 |
代理公司: | 成都诚中致达专利代理有限公司 51280 | 代理人: | 曹宇杰 |
地址: | 610000 四川省成都市成华区*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 小型化 波导 微带 耦合 装置 实现 方法 | ||
1.小型化波导转微带耦合装置的实现方法,其特征在于,包括步骤:
S1:组装微带基片(3),包括:
提供一接地覆铜层(31),并在其上设置两处未覆铜区域(30),两处未覆铜区域(30)具有预定间距;
在接地覆铜层(31)上组装介质基片层(32);
在介质基片层(32)上组装金属导带层(33),两处未覆铜区域(30)分别位于金属导带层(33)长度方向两侧,组装的金属导带层(33)用于实现微波信号从两处未覆铜区域(30)传输至金属导带层(33)中;
S2:将微带基片(3)的金属导带层(33)置于一空气腔(2)中,形成空气微带线结构,将金属导带层(33)长度方向一端设置为微带耦合端口(42),另一端设置为微带隔离端口(41);
S3:将微带基片(3)的接地覆铜层(31)贴于一波导腔(1)窄面,与波导腔(1)形成一体结构,使金属导带层(33)长度方向与波导腔(1)长度方向垂直,在波导腔(1)长度方向一端设置输入波导端口(11)、另一端设置输出波导端口(12)。
2.根据权利要求1所述的小型化波导转微带耦合装置的实现方法,其特征在于,金属导带层(33)采用50Ω阻抗的微带线。
3.根据权利要求1所述的小型化波导转微带耦合装置的实现方法,其特征在于,波导腔(1)的E面一侧加工为通槽,微带基片(3)烧结于该通槽中。
4.根据权利要求1所述的小型化波导转微带耦合装置的实现方法,其特征在于,两处未覆铜区域(30)具有的预定间距根据需要的功率分配比例调节。
5.小型化波导转微带耦合装置,其特征在于,包括:
波导腔(1),其长度方向一端有输入波导端口(11)、另一端有输出波导端口(12);
微带基片(3),包括:
接地覆铜层(31),其上设置两处未覆铜区域(30),两处未覆铜区域(30)具有预定间距;
介质基片层(32),组装于接地覆铜层(31)上;
金属导带层(33),组装于介质基片层(32)上,两处未覆铜区域(30)分别位于金属导带层(33)长度方向两侧,金属导带层(33)用于实现微波信号从两处未覆铜区域(30)传输至金属导带层(33)中;
微带基片(3)的接地覆铜层(31)贴于波导腔(1)窄面,与波导腔(1)形成一体结构;
金属导带层(33)容置于一空气腔(2)中,形成空气微带线结构,金属导带层(33)长度方向一端为微带耦合端口(42),另一端为微带隔离端口(41);
金属导带层(33)长度方向与波导腔(1)长度方向垂直。
6.根据权利要求5所述的小型化波导转微带耦合装置,其特征在于,金属导带层(33)采用50Ω阻抗的微带线。
7.根据权利要求5所述的小型化波导转微带耦合装置,其特征在于,波导腔(1)的E面一侧加工为通槽,微带基片(3)烧结于该通槽中。
8.根据权利要求5所述的小型化波导转微带耦合装置,其特征在于,两处未覆铜区域(30)具有的预定间距根据需要的功率分配比例调节。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川斯艾普电子科技有限公司,未经四川斯艾普电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011403327.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。