[发明专利]一种可精确修调电阻阻值的方法

说明书

本发明涉及一种可精确修调电阻阻值的方法。本发明的方法包括以下步骤：1)确认设计电阻的类型，电阻的基本阻值和需要的面积；2)根据步骤1)的设计，将电阻去层次化；3)在去层次化的电阻上形成一个带有修调区的图形；4)对修调区进行修调。本发明通过更改固定电阻的形状和连接方式使电阻可调，可对电阻的阻值进行更精确的设计。

技术领域

本发明涉及模拟集成电路版图设计领域，尤其涉及一种可精确修调电阻阻值的方法。

背景技术

在模拟集成电路版图设计领域，电阻的阻值是固定的，对于不同阻值的需求，一般都使用工艺库中电阻通过串联或并联关系来设计阻值，而这种直接使用工艺库中电阻的方式，阻值固定，无法进行更精确的设计。

发明内容

本发明为解决背景技术中存在的上述技术问题，而提供一种可精确修调电阻阻值的方法，通过更改固定电阻的形状和连接方式使电阻可调，可对电阻的阻值进行更精确的设计。

本发明的技术解决方案是：本发明为一种可精确修调电阻阻值的方法，其特殊之处在于：该方法包括以下步骤：

1)确认设计电阻的类型，电阻的基本阻值和需要的面积；

2)根据步骤1)的设计，将电阻去层次化；

3)在去层次化的电阻上形成一个带有修调区的图形；

4)对修调区进行修调。

优选的，步骤2)中电阻去层次化是根据设计要求的基本阻值和需要的面积，改变单个或多个电阻的形状，在电阻连接处去掉或增加一定数量的通孔，修调电阻连接处的金属，形成满足设计要求的电阻形态。

优选的，步骤2)中根据实际需求，可将电阻改变为不规则的形状。

优选的，步骤2)中为使电阻基本结构保持不变，需要处理有效电阻层。

优选的，步骤4)修调是通过激光烧结在电阻的修调区对电阻进行照射，来破坏掉小部分电阻。

优选的，步骤1)的电阻的类型为低温漂属性电阻。

优选的，步骤1)的电阻的类型包括多晶硅电阻和薄膜电阻。

本发明提供的一种可精确修调电阻阻值的方法，通过将电阻进行再设计，调整电阻连接处，改变电阻的长、宽、面积，形成一个带有修调区的图形，在此基础上不更改它的结构特性，使电阻可调，不同的电阻修调不同的修调区可实现不同的电阻精度

附图说明

图1为由11个电阻串联的阻值为33k的基本电阻；

图2为本发明的修调示意图。

具体实施方式

本发明提供的一种可精确修调电阻阻值的方法，包括以下步骤：

1)确认设计电阻的类型，电阻的基本阻值和需要的面积；电阻的类型为低温漂属性电阻，包括多晶硅电阻和薄膜电阻等；

2)根据步骤1)的设计，将电阻去层次化；根据设计要求的基本阻值和需要的面积，改变单个或多个电阻的形状，在电阻连接处去掉或增加一定数量的通孔，修调电阻连接处的金属，形成满足设计要求的电阻形态；根据实际需求，可将电阻改变为不规则的形状；为使电阻基本结构保持不变，需要处理有效电阻层；

3)在去层次化的电阻上形成一个带有修调区的图形；

4)对修调区进行修调；通过激光烧结在电阻的修调区对电阻进行照射，来破坏掉小部分电阻。

下面结合附图和具体实施例对本发明的技术方案做进一步详细描述。