[发明专利]一种SE结构图案及其制作方法在审
申请号: | 202011404688.1 | 申请日: | 2020-12-02 |
公开(公告)号: | CN112531041A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 张逸凡;何悦;金杭;朱太英;李文龙;方超炎 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 se 结构 图案 及其 制作方法 | ||
1.一种SE结构图案,其特征在于,包括:
Mark点图组(1),所述Mark点图组(1)设置于电池片的成形表面上,所述Mark点图组(1)为十字型图组,所述Mark点图组(1)包括相互交叉的横线(11)和纵线(12),所述横线(11)沿所述成形表面的横向设置,所述纵线(12)沿所述成形表面的纵向设置;
副栅激光线图组(2),所述副栅激光线图组(2)设置于所述成形表面上,所述副栅激光线图组(2)包括上部分(21)、中间部分(22)和下部分(23),所述上部分(21)、所述中间部分(22)和所述下部分(23)均包括若干条第一刻线(24),所述第一刻线(24)沿所述成形表面的横向分布;
主栅激光线图组(3),所述主栅激光线图组(3)设置于所述成形表面上,所述主栅激光线图组(3)包括若干组第二刻线(31),每组所述第二刻线(31)沿所述成形表面的纵向分布。
2.根据权利要求1所述的SE结构图案,其特征在于,每组所述第二刻线(31)均包括两条平行间隔分布的所述第二刻线(31)。
3.根据权利要求1所述的SE结构图案,其特征在于,还包括边框激光线图组(4),所述边框激光线图组(4)为矩形,所述边框激光线图组(4)包括两条第三刻线(41)和两条第四刻线(42),两条所述第三刻线(41)平行间隔设置,两条所述第四刻线(42)平行间隔设置。
4.根据权利要求3所述的SE结构图案,其特征在于,所述边框激光线图组(4)还包括倒角刻线(43),所述矩形的每个角上均设有所述倒角刻线(43)。
5.根据权利要求4所述的SE结构图案,其特征在于,所述倒角刻线(43)包括第一倒角刻线和第二倒角刻线,所述第一倒角刻线和所述第二倒角刻线间隔设置。
6.一种SE结构图案的制作方法,用于制作如权利要求4所述的SE结构图案,其特征在于,包括如下步骤:
S1.利用横向激光线组对所述成形表面进行加工;
S2.利用纵向激光线组对所述成形表面进行加工。
7.根据权利要求6所述的SE结构图案的制作方法,其特征在于,所述步骤S1包括如下步骤:
S11.利用所述横向激光线组加工所述上部分(21)中的所述第一刻线(24);
S12.利用所述横向激光线组加工右上角的所述Mark点图组(1)的所述横线(11);
S13.利用所述横向激光线组加工左上角的所述Mark点图组(1)的所述横线(11);
S14.利用所述横向激光线组加工所述中间部分(22)的所述第一刻线(24);
S15.利用所述横向激光线组加工左下角的所述Mark点图组(1)的所述横线(11);
S16.利用所述横向激光线组加工右下角的所述Mark点图组(1)的所述横线(11);
S17.利用所述横向激光线组加工所述下部分(23)的所述第一刻线(24)。
8.根据权利要求6所述的SE结构图案的制作方法,其特征在于,所述步骤S2包括如下步骤:
S20.利用所述纵向激光线组加工位于所述副栅激光线图组(2)左侧的所述第四刻线(42);
S21.利用所述纵向激光线组加工位于左侧的第一条所述第二刻线(31);
S22.利用所述纵向激光线组加工左下角的所述Mark点图组(1)的所述纵线(12);
S23.利用所述纵向激光线组加工左上角的所述Mark点图组(1)的所述纵线(12);
S24.利用所述纵向激光线组加工所述主栅激光线图组(3)中间部分(22)的所述第二刻线(31);
S25.利用所述纵向激光线组加工右上角的所述Mark点图组(1)的所述纵线(12);
S26.利用所述纵向激光线组加工右下角的所述Mark点图组(1)的所述纵线(12);
S27.利用所述纵向激光线组加工位于右侧的第一条所述第二刻线(31);
S28.利用所述纵向激光线组加工位于所述主栅激光线图组(3)右侧的所述第四刻线(42)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的