[发明专利]一种SE结构图案及其制作方法

说明书

本发明涉及单晶电池技术领域，公开了一种SE结构图案及其制作方法，其中SE结构图案包括：Mark点图组，Mark点图组设置于电池片的成形表面上，Mark点图组为十字型图组，Mark点图组包括相互交叉的横线和纵线，横线沿成形表面的横向设置，纵线沿成形表面的纵向设置；副栅激光线图组，副栅激光线图组设置于成形表面上，副栅激光线图组包括上部分、中间部分和下部分，上部分、中间部分和下部分均包括若干条第一刻线，第一刻线沿成形表面的横向分布；主栅激光线图组，主栅激光线图组设置于成形表面上，主栅激光线图组包括若干组第二刻线，每组第二刻线沿成形表面的纵向分布。通过上述结构，该SE结构图案能够提高电池片的电子发光检测合格率和电性能。

技术领域

本发明涉及单晶电池技术领域，尤其涉及一种SE结构图案及其制作方法。

背景技术

SE技术作为PERC电池的主流叠加技术，能够显著提升光的短波响应，从而极大提升电池片的转换效率。SE技术的实质就是在浆料接触区通过SE激光将磷硅玻璃中的磷源融入电池片中形成重掺区，以保证良好的欧姆接触；而在非接触区保证低磷掺杂，提升短波响应。

通常，SE结构图案中均包括副栅激光线图组和Mark点图组，但是这些结构图案在提高电池片的电子发光检测合格率和电性能方面仍存在较大的发展空间。

发明内容

本发明的目的在于提供一种SE结构图案，该SE结构图案能够提高电池片的电子发光检测合格率和电性能。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种SE结构图案，包括：Mark点图组，所述Mark点图组设置于电池片的成形表面上，所述Mark点图组为十字型图组，所述Mark点图组包括相互交叉的横线和纵线，所述横线沿所述成形表面的横向设置，所述纵线沿所述成形表面的纵向设置；副栅激光线图组，所述副栅激光线图组设置于所述成形表面上，所述副栅激光线图组包括上部分、中间部分和下部分，所述上部分、所述中间部分和所述下部分均包括若干条第一刻线，所述第一刻线沿所述成形表面的横向分布；主栅激光线图组，所述主栅激光线图组设置于所述成形表面上，所述主栅激光线图组包括若干组第二刻线，每组所述第二刻线沿所述成形表面的纵向分布。

作为一种SE结构图案的优选方案，每组所述第二刻线均包括两条平行间隔分布的所述第二刻线。

作为一种SE结构图案的优选方案，该SE结构图案还包括边框激光线图组，所述边框激光线图组为矩形，所述边框激光线图组包括两条第三刻线和两条第四刻线，两条所述第三刻线平行间隔设置，两条所述第四刻线平行间隔设置。

作为一种SE结构图案的优选方案，所述边框激光线图组还包括倒角刻线，所述矩形的每个角上均设有所述倒角刻线。

作为一种SE结构图案的优选方案，所述倒角刻线包括第一倒角刻线和第二倒角刻线，所述第一倒角刻线和所述第二倒角刻线间隔设置。

本发明的另一目的在于提供一种SE结构图案的制作方法，该SE结构图案的制作方法生产效率高，有利于提高量产产能。

为达该目的，本发明采用以下技术方案：

一种SE结构图案的制作方法，用于制作上一技术方案所提供的SE结构图案，包括如下步骤：

S1.利用横向激光线组对所述成形表面进行加工；

S2.利用纵向激光线组对所述成形表面进行加工。

作为一种SE结构图案的制作方法的优选方案，所述步骤S1包括如下步骤：

S11.利用所述横向激光线组加工所述上部分中的所述第一刻线；

S12.利用所述横向激光线组加工右上角的所述Mark点图组的所述横线；