[发明专利]一种花椒种苗的高通量繁育方法及培养基在审
| 申请号： | 202011404918.4 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112470928A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吉训志;郝朝运;胡丽松;秦晓威;范睿;闫林;伍宝朵;黄丽芳;王晓阳;李付鹏 | 申请（专利权）人： | 中国热带农业科学院香料饮料研究所 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘颖 |
| 地址： | 571533 *** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 花椒 种苗 通量 繁育 方法 培养基 | ||
1.一种花椒种苗的高通量繁育方法，其特征在于，包括以下步骤：
将灭菌后的带腋芽茎段接种到丛生芽诱导培养基中进行丛生芽诱导，所述丛生芽诱导培养基为含有0.5～3.0mg/L 6-BA、0.1～1.0mg/L NAA的MS培养基；
将丛生芽分株后接种到增殖生根培养基上进行增殖生根培养；所述增殖生根培养基为含有0.1～0.5mg/L NAA的1/2MS培养基。
2.根据权利要求1所述的高通量繁育方法，其特征在于，所述丛生芽诱导培养基为含有2.0mg/L 6-BA、0.5mg/L NAA的MS培养基。
3.根据权利要求1所述的高通量繁育方法，其特征在于，所述增殖生根培养基为含有0.5mg/L NAA的1/2MS培养基。
4.根据权利要求1所述的高通量繁育方法，其特征在于，所述丛生芽诱导的条件为28±2℃、光照强度500～1000lux、光照周期12h/d。
5.根据权利要求1所述的高通量繁育方法，其特征在于，所述增殖生根培养的条件为28±2℃、光照强度1500～2500lux、光照周期12h/d。
6.根据权利要求1所述的高通量繁育方法，其特征在于，所述带腋芽茎段的长度为1～1.5cm。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的高通量繁育方法，其特征在于，所述灭菌程序为：带腋芽茎段先用吐温-20清洗，然后用医用酒精消毒，最后用升汞灭菌。
8.一种花椒种苗的高通量繁育培养基，其特征在于，包括丛生芽诱导培养基和增殖生根培养基；
所述丛生芽诱导培养基为含有0.5～3.0mg/L 6-BA、0.1～1.0mg/L NAA的MS培养基；
所述增殖生根培养基为含有0.1～0.5mg/L NAA的1/2MS培养基。
9.根据权利要求8所述的高通量繁育培养基，其特征在于，所述丛生芽诱导培养基为含有2.0mg/L 6-BA、0.5mg/L NAA的MS培养基。
10.根据权利要求8或9所述的高通量繁育培养基，其特征在于，所述增殖生根培养基为含有0.5mg/L NAA的1/2MS培养基。
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