[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 202011405734.X | 申请日: | 2020-12-03 |
公开(公告)号: | CN112908988A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 白尚训;李昇映 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/538 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括:
第一方向多个配线,在第一方向上延伸;和
第二方向多个配线,在与所述第一方向相交的第二方向上延伸,
其中在所述第一方向上延伸的所述第一方向多个配线包括:
栅极配线,在所述第二方向上以栅极节距彼此间隔开,
第一配线,在所述栅极配线之上,在所述第二方向上以第一节距彼此间隔开,
第二配线,在所述第一配线之上,在所述第二方向上以第二节距彼此间隔开,以及
第三配线,在所述第二配线之上,在所述第二方向上以第三节距彼此间隔开,并且
所述栅极节距和所述第二节距之间的比率为6:5。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述栅极节距、所述第一节距和所述第二节距之间的比率为6:4:5。
3.如权利要求2所述的半导体器件,其中所述栅极节距、所述第一节距、所述第二节距和所述第三节距之间的比率为6:4:5:9。
4.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述栅极节距、所述第二节距和所述第三节距之间的比率为6:5:9。
5.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二方向多个配线包括:
第四配线,在所述第一方向上以第四节距彼此间隔开,和
第五配线,在所述第四配线之上,在所述第一方向上以第五节距彼此间隔开,
所述第四配线在所述栅极配线之上且在所述第一配线之下,
所述第五配线在所述第一配线之上且在所述第二配线之下,并且
所述第四节距和所述第五节距之间的比率为5:4。
6.如权利要求5所述的半导体器件,其中所述第二方向多个配线还包括:
第六配线,在所述第五配线之上,在所述第一方向上以第六节距彼此间隔开,
所述第六配线在所述第二配线之上且在所述第三配线之下,并且
所述第四节距、所述第五节距和所述第六节距之间的比率为5:4:6。
7.如权利要求6所述的半导体器件,其中所述第二方向多个配线还包括:
第七配线,在所述第六配线之上,在所述第一方向上以第七节距彼此间隔开,
所述第七配线在所述第三配线之上,并且
所述第四节距、所述第五节距、所述第六节距和所述第七节距之间的比率为5:4:6:10。
8.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二方向多个配线包括:
第四配线,在所述第一方向上以第四节距彼此间隔开,
第五配线,在所述第四配线之上,在所述第一方向上以第五节距彼此间隔开,以及
第六配线,在所述第五配线之上,在所述第一方向上以第六节距彼此间隔开,
所述第四配线在所述栅极配线之上且在所述第一配线之下,
所述第五配线在所述第一配线之上且在所述第二配线之下,
所述第六配线在所述第二配线之上且在所述第三配线之下,并且
所述第五节距和所述第六节距之间的比率为4:6。
9.如权利要求8所述的半导体器件,其中所述第二方向多个配线包括:
第七配线,在所述第六配线之上,在所述第一方向上以第七节距彼此间隔开,
所述第七配线在所述第三配线之上,并且
所述第五节距、所述第六节距和所述第七节距之间的比率为4:6:10。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011405734.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:激光加工装置
- 下一篇:能量采集电路、对应的系统及操作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的