[发明专利]半导体器件

说明书

提供一种半导体器件。该半导体器件包括在第一方向上延伸的第一方向多个配线以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的第二方向多个配线。在第一方向上延伸的第一方向多个配线包括：栅极配线，在第二方向上以栅极节距彼此间隔开；第一配线，在栅极配线之上，在第二方向上以第一节距彼此间隔开；第二配线，在第一配线之上，在第二方向上以第二节距彼此间隔开；以及第三配线，在第二配线之上，在第二方向上以第三节距彼此间隔开。栅极节距和第二节距之间的比率为6:5。

技术领域

示例实施方式总体上涉及半导体器件。

背景技术

由于诸如小型化、多功能性和/或低制造成本的特点，半导体器件已经作为电子产业中的重要因素而被关注。半导体器件可以分为存储(逻辑)数据的半导体存储器件、对逻辑数据执行算术处理的半导体逻辑器件、包括存储元件和逻辑元件的混合半导体器件、和/或类似物。

随着电子产业高度发展，对半导体器件的改善的特性的要求和/或希望逐渐增加。例如，对半导体器件的高可靠性、高速度和/或多功能的要求逐渐增加。为了满足这样的所要求的特性，半导体器件中的结构变得逐渐复杂和高度集成。

由于结构是复杂的，所以半导体器件中的配线的布图变得重要。一个原因可以是，当配线被有效地布置时，许多配线可以布置在有限的区域中。

发明内容

示例实施方式的各方面提供具有提高的配线密度的半导体器件。

然而，示例实施方式的各方面不限于这里所述的内容。通过参照下面给出的一些示例实施方式的详细描述，一些示例实施方式的以上和其它的方面将对于一些示例实施方式所属的领域内的普通技术人员变得更加明显。

根据一些示例实施方式，提供一种半导体器件，该半导体器件包括在第一方向上延伸的第一方向多个配线以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的第二方向多个配线。在第一方向上延伸的第一方向多个配线包括：栅极配线，在第二方向上以栅极节距彼此间隔开；第一配线，在栅极配线之上，在第二方向上以第一节距彼此间隔开；第二配线，在第一配线之上，在第二方向上以第二节距彼此间隔开；以及第三配线，在第二配线之上，在第二方向上以第三节距彼此间隔开。栅极节距和第二节距之间的比率为6:5。

根据一些示例实施方式，提供一种半导体器件，该半导体器件包括在第一方向上延伸的第一方向多个配线以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的第二方向多个配线。在第二方向上延伸的第二方向多个配线包括：第四配线，在第一方向上以第四节距彼此间隔开；第五配线，在第四配线之上，在第一方向上以第五节距彼此间隔开；第六配线，在第五配线之上，在第一方向上以第六节距彼此间隔开；以及第七配线，在第六配线之上，在第一方向上以第七节距彼此间隔开。第四节距和第五节距之间的比率为5:4。

根据一些示例实施方式，提供一种半导体器件，该半导体器件包括在第一方向上延伸的第一方向多个配线以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的第二方向多个配线。第一方向多个配线包括：栅极配线，在第二方向上以栅极节距彼此间隔开；以及第一配线，在栅极配线之上，在第二方向上以第一节距彼此间隔开。第二方向多个配线包括：第四配线，在栅极配线之上且在第一配线之下，并在第一方向上以第四节距彼此间隔开；以及第五配线，在第一配线之上并在第一方向上以第五节距彼此间隔开。栅极节距和第一节距之间的比率为6:4，并且第四节距和第五节距之间的比率为5:4。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明的示范性实施方式，本发明的以上和其它的方面和特征将变得更加明显，附图中：

图1是根据一些示例实施方式的半导体器件的配线布图；

图2是单独示出图1的配线当中的在Y方向上延伸的配线的布图；

图3是沿着图1的线P-P'剖取的截面图；

图4是单独示出图2的栅极配线的布图；