[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202011409949.9 | 申请日: | 2020-12-04 |
公开(公告)号: | CN113161316A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 丸山一哉;佐野努;西城淳一 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L21/60;H01L25/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具备:
第1电极;
第2电极;以及
导线,在所述第1电极与所述第2电极之间延伸;且
所述导线包含:
第1导电体,与所述第1电极及所述第2电极相接;以及
第2导电体,以不与所述第1电极及所述第2电极相接的方式设置在所述第1导电体内。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第1导电体包含钯(Pd)。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第2导电体包含选自铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、及铝(Al)中的至少1种金属。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其具备设置着所述第1电极的配线衬底。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其具备设置着所述第2电极的第1半导体芯片。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其还具备第2半导体芯片,所述第2半导体芯片设置在所述第1半导体芯片上,且形成着第3电极,
所述导线在所述第2电极与所述第3电极之间延伸,
所述第2导电体不与所述第3电极相接。
7.根据权利要求5或6所述的半导体装置,其中所述第1半导体芯片是存储器件、集成电路、分立半导体、或LED(Light emitting diode)。
8.根据权利要求5或6所述的半导体装置,其中所述第1半导体芯片是功率半导体。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置,其中所述导线具有与所述第1电极相接的第1部分、与所述第2电极相接的第2部分、以及所述第1部分及所述第2部分之间的第3部分,
所述导线的所述第1部分的直径是所述导线的所述第2部分或所述第3部分的直径的1/5以上1/2以下。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置,其中所述导线具有100微米(μm)以上500微米(μm)以下的直径。
11.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置,其中所述导线具有15微米(μm)以上80微米(μm)以下的直径。
12.一种半导体装置,具备:
配线衬底,设置着第1电极;
第1半导体芯片,设置着第2电极;
第2半导体芯片,设置在所述第1半导体芯片上,且设置着第3电极;以及
导线,在所述第1电极、所述第2电极及所述第3电极之间延伸;且
所述导线包含:
第1导电体,与所述第1电极、所述第2电极及所述第3电极相接;以及
第2导电体,以不与所述第1电极、所述第2电极及所述第3电极相接的方式设置在所述第1导电体内;且
所述第1导电体包含钯(Pd),
所述第2导电体包含选自铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、及铝(Al)中的至少1种金属。
13.根据权利要求12所述的半导体装置,其中所述第1半导体芯片是存储器件、集成电路、分立半导体、或LED(Light emitting diode)。
14.根据权利要求12所述的半导体装置,其中所述第1半导体芯片是功率半导体。
15.根据权利要求12所述的半导体装置,其中所述导线具有与所述第1电极相接的第1部分、与所述第2电极相接的第2部分、以及所述第1部分及所述第2部分之间的第3部分,
所述导线的所述第1部分的直径是所述导线的所述第2部分或所述第3部分的直径的1/5以上1/2以下。
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