[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第2电极；以及

导线，在所述第1电极与所述第2电极之间延伸；且

所述导线包含：

第1导电体，与所述第1电极及所述第2电极相接；以及

第2导电体，以不与所述第1电极及所述第2电极相接的方式设置在所述第1导电体内。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1导电体包含钯(Pd)。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2导电体包含选自铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、及铝(Al)中的至少1种金属。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其具备设置着所述第1电极的配线衬底。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其具备设置着所述第2电极的第1半导体芯片。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其还具备第2半导体芯片，所述第2半导体芯片设置在所述第1半导体芯片上，且形成着第3电极，

所述导线在所述第2电极与所述第3电极之间延伸，

所述第2导电体不与所述第3电极相接。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中所述第1半导体芯片是存储器件、集成电路、分立半导体、或LED(Light emitting diode)。

8.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中所述第1半导体芯片是功率半导体。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中所述导线具有与所述第1电极相接的第1部分、与所述第2电极相接的第2部分、以及所述第1部分及所述第2部分之间的第3部分，

所述导线的所述第1部分的直径是所述导线的所述第2部分或所述第3部分的直径的1/5以上1/2以下。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中所述导线具有100微米(μm)以上500微米(μm)以下的直径。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中所述导线具有15微米(μm)以上80微米(μm)以下的直径。

12.一种半导体装置，具备：

配线衬底，设置着第1电极；

第1半导体芯片，设置着第2电极；

第2半导体芯片，设置在所述第1半导体芯片上，且设置着第3电极；以及

导线，在所述第1电极、所述第2电极及所述第3电极之间延伸；且

所述导线包含：

第1导电体，与所述第1电极、所述第2电极及所述第3电极相接；以及

第2导电体，以不与所述第1电极、所述第2电极及所述第3电极相接的方式设置在所述第1导电体内；且

所述第1导电体包含钯(Pd)，

所述第2导电体包含选自铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、及铝(Al)中的至少1种金属。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第1半导体芯片是存储器件、集成电路、分立半导体、或LED(Light emitting diode)。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第1半导体芯片是功率半导体。

15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述导线具有与所述第1电极相接的第1部分、与所述第2电极相接的第2部分、以及所述第1部分及所述第2部分之间的第3部分，

所述导线的所述第1部分的直径是所述导线的所述第2部分或所述第3部分的直径的1/5以上1/2以下。