[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202011409949.9 申请日: 2020-12-04
公开(公告)号: CN113161316A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 丸山一哉;佐野努;西城淳一 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L21/60;H01L25/18
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

实施方式的半导体装置具备第1电极、第2电极、以及在所述第1电极与所述第2电极之间延伸的导线。所述导线包含:第1导电体,与所述第1电极及所述第2电极相接;以及第2导电体,以不与所述第1电极及所述第2电极相接的方式设置在所述第1导电体内。

相关申请案的引用

本申请案基于2020年01月07日提出申请的在先日本专利申请案第2020-000795号的优先权而主张优先权利益,通过引用将其全部内容并入本文中。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术

作为将电极间电连接的方法,已知有导线接合。

发明内容

一实施方式提供一种半导体装置,使半导体装置的导线及焊垫间的接合可靠性提高。

实施方式的半导体装置具备第1电极、第2电极、以及在所述第1电极与所述第2电极之间延伸的导线。所述导线包含:第1导电体,与所述第1电极及所述第2电极相接;以及第2导电体,以不与所述第1电极及所述第2电极相接的方式设置在所述第1导电体内。

根据所述构成,可提供一种使导线及焊垫间的接合可靠性提高的半导体装置。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置的整体构成的俯视图。

图2是沿图1的II-II线的半导体装置的剖视图。

图3是将图2的区域III放大后的半导体装置的剖视图。

图4是用来说明实施方式的半导体装置的制造工程中的导线接合处理的流程图。

图5是用来示意性地说明实施方式的半导体装置的制造工程中的导线接合处理的部分的剖视图。

图6是变化例的半导体装置的剖视图。

图7是用来说明变化例的半导体装置的制造工程中的导线接合处理的流程图。

图8是应用例的半导体装置的框图。

具体实施方式

以下,参考附图对实施方式进行说明。各实施方式例示出用来使发明的技术思想具体化的装置或方法。附图是示意性或概念性的图,各附图的尺寸及比率等未必与实际情况相同。本发明的技术思想并非由构成要素的形状、构造、配置等来特定。

另外,以下的说明中,某物质的“直径”是指该物质的与延伸方向垂直的截面上该物质的外侧直径的平均值。

1.实施方式 对实施方式的半导体装置进行说明。

1.1构成 首先,对实施方式的半导体装置的构成进行说明。

1.1.1半导体装置 图1是用来说明实施方式的半导体装置的构成的俯视图。图1中,为了方便说明,省略覆盖半导体装置的绝缘体而图示。

如图1所示,半导体装置1具备半导体衬底10、半导体芯片20、多个引线端子30、及多条导线40。半导体芯片20积层在半导体衬底10上。以下的说明中,将半导体芯片20在半导体衬底10上积层的方向设为上方向。即,半导体芯片20设置在半导体衬底10的上表面上。

半导体芯片20经由对应的导线40分别与多个引线端子30电连接。由此,半导体芯片20可经由多个引线端子30与半导体装置1的外部进行信息通信,而且可从半导体装置1的外部供给电源。

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