[发明专利]开关电源及其制作方法有效
申请号: | 202011410703.3 | 申请日: | 2020-12-04 |
公开(公告)号: | CN112671206B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 陆阳;徐爱民 | 申请(专利权)人: | 杰华特微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M1/08;H02M1/088;H02M3/158 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;李镇江 |
地址: | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关电源 及其 制作方法 | ||
1.一种开关电源,包括:第一功率管、第二功率管和驱动控制模组,所述驱动控制模组用于控制所述第一功率管和所述第二功率管的工作状态,且所述第一功率管的一端接收到输入信号,所述第二功率管的一端连接到参考地,其中,
所述第一功率管和所述驱动控制模组中的第一部分电路位于所述开关电源的第一芯片中,第一部分电路包括第一功率管驱动电路;
所述第二功率管和所述驱动控制模组中的第二部分电路位于所述开关电源的第二芯片中,第二部分电路包括第二功率管驱动电路;
所述第一芯片与所述第二芯片电连接,
其中,所述第一芯片为双极型-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体(BCD)器件,所述第二芯片为横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件或者为纵向双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件;第一功率管为开关电源的主功率管,所述第二功率管为整流管。
2.根据权利要求1所述的开关电源,其中,所述驱动控制模组包括:PWM解析电路、第一电平移位电路、第二电平移位电路、与所述第一电平移位电路连接的第一功率管驱动电路、与所述第二电平移位电路连接的第二功率管驱动电路,
其中,所述第二功率管驱动电路中包含有所述第二功率管的下拉控制管。
3.根据权利要求2所述的开关电源,其中,所述第一部分电路包括所述PWM解析电路、所述第一电平移位电路、所述第二电平移位电路、所述第一功率管驱动电路,
所述第二部分电路包括所述第二功率管驱动电路。
4.根据权利要求2所述的开关电源,其中,所述第一部分电路包括所述第一功率管驱动电路、所述第一电平移位电路;
所述第二部分电路包括所述PWM解析电路、所述第二电平移位电路、所述第二功率管驱动电路。
5.根据权利要求3所述的开关电源,其中,所述驱动控制模组包括电流检测电路和温度检测电路,所述电流检测电路和温度检测电路位于所述第一芯片中。
6.根据权利要求4所述的开关电源,其中,所述驱动控制模组包括电流检测电路和温度检测电路,所述电流检测电路和温度检测电路位于所述第二芯片中。
7.根据权利要求5和6中任一项所述的开关电源,其中,所述第二芯片中还包括有:
用于对所述第二功率管电流检测的电流采样MOS管;以及
用于对所述第二功率管温度监控的温度检测二极管。
8.一种开关电源的制作方法,其中,所述开关电源包括:第一功率管、第二功率管和驱动控制模组,所述驱动控制模组用于控制所述第一功率管和所述第二功率管的工作状态,且所述第一功率管的一端接收到输入信号,所述第二功率管的一端连接到地,所述制作方法包括:
采用BCD工艺将所述第一功率管和所述驱动控制模组中的第一部分电路集成于第一芯片中,第一部分电路包括第一功率管驱动电路;
采用LDMOS工艺或者VDMOS工艺将所述第二功率管和所述驱动控制模组中的第二部分电路集成于第二芯片中,第二部分电路包括第二功率管驱动电路;
其中,第一功率管为开关电源的主功率管,所述第二功率管为整流管;
采用倒装或打线封装的形式将所述第一芯片和所述第二芯片进行合封。
9.根据权利要求8所述的开关电源的制作方法,其中,所述驱动控制模组包括:PWM解析电路、第一电平移位电路、第二电平移位电路、与所述第一电平移位电路连接的第一功率管驱动电路、与所述第二电平移位电路连接的第二功率管驱动电路,
其中,所述第二功率管驱动电路中包含有所述第二功率管的下拉控制管。
10.根据权利要求9所述的开关电源的制作方法,其中,所述第一部分电路包括所述PWM解析电路、所述第一电平移位电路、所述第二电平移位电路、所述第一功率管驱动电路;
所述第二部分电路包括所述第二功率管驱动电路。
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