[发明专利]开关电源及其制作方法

说明书

本公开涉及开关电源及其制作方法，该开关电源包括：第一芯片，第一芯片中包含有第一功率管和驱动控制模组中的第一部分电路；与第一芯片电连接的第二芯片，第二芯片中包含有第二功率管和驱动控制模组中的第二部分电路，其中，第一芯片为采用双BCD工艺制造的BCD器件，第二芯片为采用LDMOS工艺制造的LDMOS器件或者是VDMOS工艺制造的VDMOS器件，其中，第一功率管、第二功率管和驱动控制模组均为开关电源的工作电路。本公开能够节省开关电源的制造成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及开关电源及其制作方法。

背景技术

在消费电子工业中，开关电源和变换器由于其紧凑的尺寸，较轻的重量，同时通常具有很高的效率，越来越受到市场的欢迎。在便携式应用设备中尤其是这样，这类设备中，紧凑的尺寸，较低的成本，较轻的重量和较长的电池寿命都是很重要的考虑方向。

目前大电流的开关电源(如为降压变换器)芯片设计，主要有两种方案。一种是把控制电路芯片和两个分立功率MOS管(第一功率管和第二功率管)合封在一起来制作，成本较低，但是分立功率MOS管的寄生电容、电感较大，峰值效率较差。另外一种是用BCD工艺把控制电路芯片和功率MOS管集成在一个芯片上来实现，其峰值效率较高，但是因为芯片使用的BCD工艺相比制造步骤较多，成本较高。

因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种开关电源及其制作方法，能够节省开关电源的制造成本。

第一方面，根据本发明提供的一种开关电源，包括：第一功率管、第二功率管和驱动控制模组，所述驱动控制模组用于控制所述第一功率管和所述第二功率管的工作状态，且所述第一功率管的一端接收到输入信号，所述第二功率管的一端连接到参考地，其中，

所述第一功率管和所述驱动控制模组中的第一部分电路位于所述开关电源的第一芯片中；

所述第二功率管和所述驱动控制模组中的第二部分电路位于所述开关电源的第二芯片中；

所述第一芯片与所述第二芯片电连接，

其中，所述第一芯片为双极型-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体(BCD)器件，所述第二芯片为横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件或者为纵向双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件。

可选地，所述驱动控制模组包括：PWM解析电路、第一电平移位电路、第二电平移位电路、与所述第一电平移位电路连接的第一功率管驱动电路、与所述第二电平移位电路连接的第二功率管驱动电路，

其中，所述第二功率管驱动电路中包含有所述第二功率管的下拉控制管。

可选地，所述第一部分电路包括所述PWM解析电路、所述第一电平移位电路、所述第二电平移位电路、所述第一功率管驱动电路，

所述第二部分电路包括所述第二功率管驱动电路。

可选地，所述第一部分电路包括所述第一功率管驱动电路、所述第一电平移位电路；

所述第二部分电路包括所述PWM解析电路、所述第二电平移位电路、所述第二功率管驱动电路。

可选地，所述驱动控制模组包括电流检测电路和温度检测电路，所述电流检测电路和温度检测电路位于所述第一芯片中。

可选地，所述驱动控制模组包括电流检测电路和温度检测电路，所述电流检测电路和温度检测电路位于所述第二芯片中。

可选地，所述第二芯片中还包括有：

用于对所述第二功率管电流检测的电流采样MOS管；以及