[发明专利]小分子药物特定晶形的分子调控方法

权利要求书

1.小分子药物特定晶形的分子调控方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：获得实验晶体结构和晶型：通过培养单晶，通过X-射线或中子衍射测定药物的晶体结构，确定药物晶型，或者通过英国剑桥结构数据库检索药物的晶体结构和晶型；

S2：计算和预测理想晶习和晶体稳定生长面：根据药物的晶体结构和晶型，利用附着能模型方法计算得到理想情况下晶体的各个稳定生长晶面；

S3：通过溶液中药物分子在各个晶面的初次吸附能及相应溶剂化作用的校正，准确确定药物分子在实验条件下的真实晶形和最终晶体稳定生长面；

S4：通过各调控剂、溶剂与药物在每个药物晶体生长面上的选择性竞争吸附，确定各调控剂的作用强度和顺序。

2.根据权利要求1所述的小分子药物特定晶形的分子调控方法，其特征在于，步骤S2中，各晶面的吸附能计算方法如下：E_att(i)＝E_crystal(i)–(E_matix+E_slice(i))

其中，E_slice(i)为吸附到第i个晶面的晶片能，E_matrix为生长前的晶体能，E_crystal(i)为第i个晶面生长后的晶体能，E_att(i)为第i个晶面的吸附能。

晶面生长速率的计算方法如下：v_(i)＝E_att(i)*d_hkl

其中，v_(i)为晶体第i个晶面的生长速率，E_att(i)为第i个晶面的吸附能，d_hkl为晶片厚度。

3.根据权利要求1所述的小分子药物特定晶形的分子调控方法，其特征在于，步骤S2中，各药物晶体生长面与各调控剂之间的相互作用能计算方法如下：E_dock(i)＝[E_complex(i)-(E_crystal+N_dock(i)*E_guest(i))]/N_dock(i)

其中，E_complex(i)是第i种结晶调控剂和晶体层吸附后形成的复合物的势能，E_crystal是晶体层的势能，E_guest(i)是第i种结晶调控剂吸附层的势能，N_dock(i)是第i种结晶调控剂在晶体生长面的吸附分子数，E_dock(i)是第i种结晶调控剂和晶体生长面的平均相互作用势能。

4.根据权利要求1所述的小分子药物特定晶形的分子调控方法，其特征在于，步骤S3中，溶质分子到生长晶面的初次吸附能必须针对不同溶剂进行溶剂化校正。

5.根据权利要求1所述的小分子药物特定晶形的分子调控方法，其特征在于，步骤S3中，药物晶体在溶液中的真实晶习以校正后的初次吸附能与晶体生长速率之间的正比关系推演得到。