[发明专利]用于半导体装置组合件的接地连接

权利要求书

1.一种半导体装置组合件，其包含：

第一半导体管芯；

封装衬底，其支撑所述第一半导体管芯，所述封装衬底包括用于所述半导体装置组合件的公共电压节点的第一接合焊盘；以及

第一导电部件，其将所述第一接合焊盘与包围形成在所述封装衬底上的封装外壳的导电屏蔽耦合，其中所述封装外壳包括包封所述第一半导体管芯和所述第一导电部件的密封剂。

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一导电部件终止于所述封装外壳的侧壁表面以连接到所述导电屏蔽。

3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一导电部件终止于所述封装外壳的顶表面以连接到所述导电屏蔽。

4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一接合焊盘在所述封装衬底的上表面上，所述第一半导体管芯安装到所述封装衬底的上表面上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述导电屏蔽围绕所述封装衬底的周边。

6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包含：

第二导电部件，其连接到所述第一半导体管芯的第二接合焊盘并且从所述第一半导体管芯的第二接合焊盘朝向所述导电屏蔽延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包含：

所述封装衬底的第二接合焊盘，所述第二接合焊盘被配置成连接到所述公共电压节点；以及

第二导电部件，其将所述第二接合焊盘与所述导电屏蔽耦合。

8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包含：

接合线，其被配置成将所述第一半导体管芯的第三接合焊盘与所述封装衬底的第四接合焊盘耦合，其中：

所述第一导电部件包括大于所述接合线的第二截面面积的第一截面面积。

9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包含：

一或多个第二半导体管芯，其中：

所述第一半导体管芯经由所述一或多个第二半导体管芯附接到所述封装衬底，使得所述第一半导体管芯是包括所述第一半导体管芯和所述一或多个第二半导体管芯的半导体管芯堆叠的最顶部半导体管芯。

10.一种方法，其包含：

形成连接到封装衬底的第一接合焊盘的导电部件，所述封装衬底包括附接到其上的半导体管芯，所述第一接合焊盘用于包括所述封装衬底的半导体装置组合件的公共电压节点；

用形成在所述封装衬底上的密封剂密封所述半导体管芯和所述导电部件；

暴露所述导电部件的部分；以及

形成包封所述密封剂的导电屏蔽，所述导电屏蔽被配置成连接到所述导电部件的暴露的所述部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包含：

沿垂直于所述第一接合焊盘的表面的方向将所述导电部件从所述第一接合焊盘延伸到第一高度，所述第一高度大于所述半导体管芯的第二高度；以及

在密封所述导电部件之前在所述第一高度处终止所述导电部件。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含：

以大于所述导电部件的所述第一高度的第一厚度沉积所述密封剂，其中密封所述半导体管芯和所述导电部件至少部分地基于沉积所述密封剂。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含：

从所述密封剂的顶表面去除所述密封剂到第二厚度，所述第二厚度小于所述导电部件的所述第一高度并且大于所述半导体管芯的所述第二高度，其中暴露所述导电部件的所述部分至少部分地基于去除所述密封剂。