[发明专利]用于半导体装置组合件的接地连接

说明书

本申请涉及用于半导体装置组合件的接地连接。在一个实施例中，半导体装置组合件可以包括安装在封装衬底的上表面上的一或多个半导体管芯。此外，所述封装衬底包括设置在所述上表面上的接合焊盘，所述接合焊盘可以被指定为所述半导体装置组合件的接地节点。所述接合焊盘可以通过导电部件电连接到所述半导体装置组合件的电磁干扰EMI屏蔽，所述导电部件附接到所述接合焊盘并且被配置成在所述半导体装置组合件的侧壁表面或顶表面与所述EMI屏蔽接触，从而形成所述接地连接。此接地连接可以减少形成所述EMI屏蔽的处理时间，同时提高所述半导体装置组合件的成品率和可靠性性能。

技术领域

本公开总体上涉及半导体装置组合件，并且更具体地涉及用于半导体装置组合件的 接地连接。

背景技术

半导体封装通常包括安装在衬底上的半导体管芯(例如，存储器芯片、微处理器芯片、 成像器芯片)，所述半导体管芯封装在保护性覆盖物中。半导体管芯可以包括功能特征， 例如存储器单元、处理器电路或成像器装置，以及电连接到功能特征的接合焊盘。接合焊盘可以电连接到衬底的对应导电结构，所述导电结构可以耦合到保护性覆盖物外部的端子，使得半导体管芯可以连接到更高级的电路。

在一些半导体封装中，可在半导体封装上形成金属层以屏蔽不期望的电磁干扰(EMI)效应。用于电磁屏蔽(其可以被称为EMI屏蔽)的金属层旨在形成到半导体封装的 公共电压节点(例如，接地节点)的导电连接，所述公共电压节点可以位于半导体封装的 底表面上。在一些实例中，EMI屏蔽可能遭受半导体封装的金属层和接地节点之间的不 可靠的连接(例如，由于不连续性)。在其它实例中，EMI屏蔽可能遭受金属层和除接地 节点之外的其它节点之间的无意的电连接，例如当沉积过量的金属材料以避免不可靠的 连接时。

发明内容

在一方面，本申请提供了一种半导体装置组合件，其包含：第一半导体管芯；封装衬底，其支撑第一半导体管芯，封装衬底包括用于半导体装置组合件的公共电压节点的 第一接合焊盘；以及第一导电部件，其将第一接合焊盘与包围形成在封装衬底上的封装 外壳的导电屏蔽耦合，其中封装外壳包括包封第一半导体管芯和第一导电部件的密封 剂。

在另一方面，本申请提供了一种方法，其包含：形成连接到封装衬底的第一接合焊盘的导电部件，封装衬底包括附接到其上的半导体管芯，第一接合焊盘用于包括封装衬 底的半导体装置组合件的公共电压节点；用形成在封装衬底上的密封剂密封半导体管芯 和导电部件；暴露导电部件的部分；以及形成包封密封剂的导电屏蔽，所述导电屏蔽被 配置成连接到导电部件的暴露的部分。

在又一方面，本申请提供了一种方法，其包含：将第一半导体管芯和第二半导体管芯附接到衬底；将接合线的第一端附接到衬底的第一接合焊盘并且将接合线的第二端附接到衬底的第二接合焊盘，第一接合焊盘和第二接合焊盘分别用于包括第一半导体管芯的第一半导体装置组合件和包括第二半导体管芯的第二半导体装置组合件的公共电压 节点；以及用形成在衬底上的密封剂密封第一半导体管芯、第二半导体管芯和接合线。

附图说明

参考以下附图可以更好地理解本技术的许多方面。附图中的部件不一定按比例绘制。相反，重点在于清楚地说明本技术的原理。

图1绘示出了示范性半导体装置组合件的截面图。

图2A至2E绘示出了根据本技术的实施例的形成半导体装置组合件的接地连接的处 理。

图3绘示出了根据本技术的实施例的半导体装置组合件的接地连接的平面图。

图4至6绘示出了根据本技术的实施例的形成半导体装置组合件的接地连接的变化。

图7示意性地绘示出了包括根据本技术的实施例配置的半导体装置组合件的系统的 框图。

图8和图9绘示出了根据本技术的实施例的形成半导体装置组合件的接地连接的方 法的流程图。

具体实施方式