[发明专利]基于化合物半导体的逻辑控制电路在审
| 申请号： | 202011413237.4 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112290931A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 潘茂林;潘俊;李海涛;王静波;徐健 | 申请（专利权）人： | 南京元络芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江北*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 化合物 半导体 逻辑 控制电路 | ||
1.一种基于化合物半导体的逻辑控制电路，其特征在于，包括反相器电路、晶体管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，所述反相器包括耗尽型晶体管Q2和增强型晶体管Q3；
逻辑控制电压接入所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端与所述晶体管Q1的漏极相连接，所述晶体管Q1的栅极分别与所述电阻R3、所述电阻R4的一端相连接，所述晶体管Q1的源极分别与所述电阻R2的一端、所述反相器的输入端相连接；
所述反相器的输入端为所述晶体管Q3的栅极，输出端为所述晶体管Q3的漏极，所述晶体管Q3的源极接地；
所述晶体管Q2的栅极分别和所述晶体管Q2的源极、所述晶体管Q3的漏极相连接，所述晶体管Q2的漏极接入电源电压；
所述电阻R3的另一端接入所述电源电压、所述电阻R2、所述电阻R4的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的基于化合物半导体的逻辑控制电路，其特征在于，所述逻辑控制电压流经所述晶体管Q1，得到所述反相器电路的输入电压；若所述反相器电路的输入电压小于预设开关电压，则所述反相器电路输出高电平；若反相器电路的输入电压大于预设开关电压，则所述反相器电路输出低电平。
3.根据权利要求1所述的基于化合物半导体的逻辑控制电路，其特征在于，通过调节所述电阻R1和所述电阻R2的比值关系，调整反相器电路的输入电压。
4.根据权利要求1或3所述的基于化合物半导体的逻辑控制电路，其特征在于，所述电阻R1和所述电阻R2用于限制流经所述晶体管Q1的电流。
5.根据权利要求4所述的基于化合物半导体的逻辑控制电路，其特征在于，所述电源电压通过所述电阻R3、所述电阻R4为所述晶体管Q1的栅极提供偏置电压。
6.根据权利要求5所述的基于化合物半导体的逻辑控制电路，其特征在于，所述电阻R3和所述电阻R4还用于限制电流。
7.根据权利要求1所述的基于化合物半导体的逻辑控制电路，其特征在于，所述晶体管Q1处于恒定导通状态。
8.根据权利要求1所述的基于化合物半导体的逻辑控制电路，其特征在于，所述化合物半导体包括砷化镓GaAs半导体材料。
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