[发明专利]基于化合物半导体的逻辑控制电路

说明书

本发明提供了一种基于化合物半导体的逻辑控制电路，涉及半导体器件领域，包括反相器电路、晶体管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，反相器包括耗尽型晶体管Q2和增强型晶体管Q3，逻辑控制电压流经晶体管Q1，得到反相器电路的输入电压；若反相器电路的输入电压小于预设开关电压，则反相器电路输出高电平；若反相器电路的输入电压大于预设开关电压，则反相器电路输出低电平，减少所需晶体管的数目，并减小芯片中逻辑电路的占用面积。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种基于化合物半导体的逻辑控制电路。

背景技术

随着科学技术的发展，半导体器件由于其自身特性优势，越来越被广泛应用。在当前半导体芯片的逻辑控制电路中，一般采用数量较多的晶体管来实现，从而会导致该逻辑控制电路占用半导体芯片较大面积，甚至需要增大半导体芯片本身的面积，一定程度上限制了半导体芯片的应用范围。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种基于化合物半导体的逻辑控制电路，减少所需晶体管的数目，并减小芯片中逻辑电路的占用面积。

第一方面，本发明实施例提供了一种基于化合物半导体的逻辑控制电路，包括反相器电路、晶体管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，所述反相器包括耗尽型晶体管Q2和增强型晶体管Q3；

逻辑控制电压接入所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端与所述晶体管Q1的漏极相连接，所述晶体管Q1的栅极分别与所述电阻R3、所述电阻R4的一端相连接，所述晶体管Q1的源极分别与所述电阻R2的一端、所述反相器的输入端相连接；

所述反相器的输入端为所述晶体管Q3的栅极，输出端为所述晶体管Q3的漏极，所述晶体管Q3的源极接地；

所述晶体管Q2的栅极分别和所述晶体管Q2的源极、所述晶体管Q3的漏极相连接，所述晶体管Q2的漏极接入电源电压；

所述电阻R3的另一端接入所述电源电压、所述电阻R2、所述电阻R4的另一端接地。

在一些实施方式中，所述逻辑控制电压流经所述晶体管Q1，得到所述反相器电路的输入电压；若所述反相器电路的输入电压小于预设开关电压，则所述反相器电路输出高电平；若反相器电路的输入电压大于预设开关电压，则所述反相器电路输出低电平。

在一些实施方式中，通过调节所述电阻R1和所述电阻R2的比值关系，调整反相器电路的输入电压。

在一些实施方式中，所述电阻R1和所述电阻R2用于限制流经所述晶体管Q1的电流。

在一些实施方式中，所述电源电压通过所述电阻R3、所述电阻R4为所述晶体管Q1的栅极提供偏置电压。

在一些实施方式中，所述电阻R3和所述电阻R4还用于限制电流。

在一些实施方式中，所述晶体管Q1处于恒定导通状态。

在一些实施方式中，所述化合物半导体包括砷化镓GaAs半导体材料。

本发明实施例提供了一种基于化合物半导体的逻辑控制电路，逻辑控制电压V_logic在晶体管Q1、电阻R1、电阻R2的作用下，生成反相器电路输入电压，而反相器电路输入电压与预设开关电压的不同比较情况，使得反相器电路输出不同的高低电平，进而能够实现逻辑控制功能，本发明实施例所采用的反相器电路同时使用了增强型和耗尽型的赝调制掺杂异质结场效应晶体管PHEMT，减少了单个反相器电路所需晶体管的数目，并减小半导体芯片中该逻辑电路的占用面积。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。