[发明专利]一种CIS产品的微透镜形成方法有效

专利信息
申请号: 202011414131.6 申请日: 2020-12-07
公开(公告)号: CN112635502B 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 孙少俊;王函 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 罗雅文
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 cis 产品 透镜 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种CIS产品的微透镜形成方法,其特征在于,所述方法包括:

提供一制作CIS产品的衬底,所述衬底上形成有金属层间介质层,所述金属层间介质层中设置有金属连线;

在所述金属层间介质层的上方形成第一层微透镜材料层;

通过光刻工艺在所述第一层微透镜材料层上方定义微透镜图案;

根据所述微透镜图案刻蚀所述第一层微透镜材料层,形成微透镜前置结构;其中,所述微透镜前置结构的剖面为梯形,所述梯形的底部比顶部宽;所述梯形的倾斜角的角度范围为75°至85°;

通过CVD工艺沉积第二层微透镜材料层,所述第二层微透镜材料层的厚度为8000埃至15000埃;所述微透镜前置结构上方的第二层微透镜材料层构成微透镜;

其中,微透镜材料为含碳氧化硅。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述梯形的底部宽度为0.5μm至0.8μm。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述金属层间介质层的上方形成第一层微透镜材料层,包括:

通过CVD工艺在所述金属层间介质层的上方形成第一层微透镜材料层,第一层微透镜材料层的厚度为3000埃至6000埃。

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