[发明专利]一种CIS产品的微透镜形成方法

说明书

本申请公开了一种CIS产品的微透镜形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一制作CIS产品的衬底，所述衬底上形成有金属层间介质层，所述金属层间介质层中设置有金属连线；在所述金属层间介质层的上方形成第一层微透镜材料层；通过光刻工艺在所述第一层微透镜材料层上方定义微透镜图案；根据所述微透镜图案刻蚀所述第一层微透镜材料层，形成微透镜前置结构；沉积第二层微透镜材料层，形成微透镜，所述微透镜位于所述CIS产品的像素区上方，微透镜材料为含碳氧化硅；解决了目前利用二氧化硅制作的微透镜的透光性一般的问题；达到了提高CIS微透镜的透光性，提升CIS产品性能的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种CIS产品的微透镜形成方法。

背景技术

COMS图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)是一种用于将光信号转换为电信号的器件。由于CIS具有集成度高、功率低、成本低等优势，应用越来越广泛。

CIS由CMOS转换电路和像素单元构成，光电二极管设置在像素单元的光敏区，光敏区的面积越大，CIS采集的光越多，但由于器件面积的限制，光敏区的面积也受到限制。为了提高光敏区收集光的效率，会在光敏区的光电二极管上方覆盖微透镜。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种CIS产品的微透镜形成方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种CIS产品的微透镜形成方法，该方法包括：

提供一制作CIS产品的衬底，衬底上形成有金属层间介质层，金属层间介质层中设置有金属连线；

在金属层间介质层的上方形成第一层微透镜材料层；

通过光刻工艺在第一层微透镜材料层上方定义微透镜图案；

根据微透镜图案刻蚀第一层微透镜材料层，形成微透镜前置结构；

沉积第二层微透镜材料层，形成微透镜，微透镜位于CIS产品的像素区上方；

其中，微透镜材料为含碳氧化硅。

可选的，微透镜前置结构的剖面为梯形，梯形的底部比顶部宽；

梯形的倾斜角的角度范围为75°至85°。

可选的，梯形的底部宽度为0.5μm至0.8μm。

可选的，在金属层间介质层的上方形成第一层微透镜材料层，包括：

通过CVD工艺在金属层间介质层的上方形成第一层微透镜材料层，第一层微透镜材料层的厚度为3000埃至6000埃。

可选的，沉积第二层微透镜材料层，形成微透镜，包括：

通过CVD工艺沉积第二层微透镜材料层，第二层微透镜材料层的厚度为8000埃至15000埃；

微透镜前置结构上方的第二层微透镜材料层构成微透镜。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过在制作有CIS产品的衬底上形成金属层间介质层之后，沉积含碳氧化硅作为微透镜材料层，通过刻蚀微透镜材料层形成微透镜前置结构，再次沉积含碳氧化硅，利用微透镜前置结构和后沉积的含碳氧化硅在CIS产品的像素区形成微透镜，解决了目前利用二氧化硅制作的微透镜的透光性一般的问题；达到了提高CIS微透镜的透光性，提升CIS产品性能的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。