[发明专利]一种宽层间距二硫化钼纳米片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011414228.7 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112960696B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 方奕文;祝忠泰;吕孟海;许业伟;冯燕萍;丁客鑫;李伟可;温颖琦 | 申请（专利权）人： | 汕头大学;广州市威来材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B82Y40/00 | 分类号： | B82Y40/00;C01G39/06 |
| 代理公司： | 汕头兴邦华腾专利代理事务所(特殊普通合伙) 44547 | 代理人： | 张树峰;梁凤德 |
| 地址： | 515000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 间距 二硫化钼 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种宽层间距二硫化钼纳米片，其特征在于，所述二硫化钼纳米片的层间距为0.95nm，厚度为5～10nm，所述宽层间距二硫化钼纳米片的制备方法包括以下步骤：
(1)前驱体溶液的制备：将(NH4)6Mo7O24·4H2O、CH4N2S溶于去离子水中，充分搅拌溶解20～60min至溶液澄清，其中(NH4)6Mo7O24·4H2O与CH4N2S的物质的量之比为1：14～36；
(2)将步骤(1)得到的溶液迅速移入反应釜，密封，在180℃温度下恒温反应24～36h，冷却至室温，得到反应产物；
(3)离心分离步骤(2)中所述反应产物，洗涤，干燥，得到宽层间距二硫化钼纳米片。
2.如权利要求1所述的宽层间距二硫化钼纳米片，其特征在于，所述二硫化钼纳米片的堆叠层数为5～11层。
3.如权利要求1所述的宽层间距二硫化钼纳米片，其特征在于，步骤(1)中(NH4)6Mo7O24·4H2O溶解后的浓度为0.01～0.05mol/L。
4.如权利要求1所述的宽层间距二硫化钼纳米片，其特征在于，步骤(3)中所述离心分离操作中，控制离心机转数为6000～1200rpm，离心时间5～10min。
5.如权利要求1所述的宽层间距二硫化钼纳米片，其特征在于，步骤(3)中所述洗涤方式为：先用无水乙醇离心洗涤后，再用超纯水离心洗涤，交替洗涤并重复以上操作2～4次。
6.如权利要求1所述的宽层间距二硫化钼纳米片，其特征在于，步骤(3)中所述干燥条件为60～100℃下真空干燥8h以上。
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