[发明专利]一种化学气相沉积方法在审
| 申请号： | 202011414503.5 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN114613673A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 卞成洙;高建峰;刘卫兵;白国斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化学 沉积 方法 | ||
1.一种化学气相沉积方法，其特征在于，包括：
将衬底放入处理室中，并在所述衬底上形成硬掩模层；
向所述处理室中通入形成等离子体所需的气体；
打开所述处理室的电源，形成预等离子体；
向所述处理室继续通入前驱体以及形成所述等离子所需的气体，进行化学气相沉积工艺，在所述硬掩模层上形成薄膜。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，形成所述预等离子体的时间为0.1～5s。
3.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积方法，其特征在于，打开所述处理室的电源，包括：
向所述处理室提供射频功率。
4.根据权利要求3所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述射频功率为10～3000W。
5.根据权利要求4所述的化学气相沉积方法，其特征在于，打开电源前向所述处理室通入的形成所述等离子体所需的气体的流量，为进行化学气相沉积工艺时向所述处理室通入的形成所述等离子体所需的气体和前驱体的流量的50％～120％。
6.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述等离子体气体包括O2、N2O、Ar、He中的至少一种。
7.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述硬掩模层为碳或SOH。
8.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述前驱体包括SiH4。
9.根据权利要求8所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述薄膜的材料包括SiO2，SiN，SiON，SiCN，SiOC中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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