[发明专利]一种化学气相沉积方法

说明书

本发明提供一种化学气相沉积方法，涉及半导体技术领域，可解决不同处理室的等离子体效应对硬掩模层的影响不同的问题。一种基板的制造方法，包括：将衬底放入处理室中，并在所述衬底上形成硬掩模层；向所述处理室中通入形成等离子体所需的气体；打开所述处理室的电源，形成预等离子体；向所述处理室继续通入前驱体以及形成所述等离子所需的气体，进行化学气相沉积工艺，在所述硬掩模层上形成薄膜。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积方法。

背景技术

半导体工艺中，若在形成硬掩模图案之后，利用不同设备形成介电层，则可能因不同设备的等离子体效应影响不同，而影响硬掩模层的图案。硬掩模层的图案一旦被影响，则会影响利用硬掩模层制造的膜层的线宽。

发明内容

本发明提供一种化学气相沉积方法，可解决不同处理室的等离子体效应对硬掩模层的影响不同的问题。

为达到上述目的，本发明提供一种化学气相沉积方法，包括：将衬底放入处理室中，并在衬底上形成硬掩模层；向处理室中通入形成等离子体所需的气体；打开处理室的电源，形成预等离子体；向处理室继续通入前驱体以及形成等离子所需的气体，进行化学气相沉积工艺，在硬掩模层上形成薄膜。

可选的，形成预等离子体的时间为0.1～5s。

可选的，打开处理室的电源，包括：向处理室提供射频功率。

可选的，射频功率为10～3000W。

可选的，打开电源前向处理室通入的形成等离子体所需的气体的流量，为进行化学气相沉积工艺时向处理室通入的形成等离子体所需的气体和前驱体的流量的50％～120％。

可选的，等离子体气体包括O₂、N₂O、Ar、He中的至少一种。

可选的，硬掩模层为碳或SOH。

可选的，前驱体包括SiH₄。

可选的，薄膜的材料包括SiO₂，SiN，SiON，SiCN，SiOC中的一种。

本发明提供的化学气相沉积方法，在形成硬掩模层之后、形成薄膜之前，向处理室中通入形成等离子体所需的气体，打开处理室的电源，以形成预等离子体。通过调节通入等离子体气体的时间，来控制硬掩模层被刻蚀的厚度，以中和因次等离子体刻蚀的硬掩模层的厚度。这样一来，即使在不同型号的处理室中制造薄膜，也可以使对硬掩模层造成影响的等离子体效应相同，从而在已知的等离子体效应影响的情况下，预先合理设计硬掩膜层的关键尺寸(CD bias)，避免影响硬掩模层的图案，从而影响利用硬掩模层制造的膜层的线宽。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种化学气相沉积的制造时序图；

图2为本发明实施例提供的一种化学气相沉积的制造过程图；

图3为本发明实施例提供的一种化学气相沉积的制造过程图；

图4为本发明实施例提供的一种化学气相沉积的制造过程图；

图5为本发明实施例提供的一种化学气相沉积的制造时序图。

附图标记：

10-衬底；11-硬掩模层；13-薄膜。

具体实施方式