[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 202011414820.7 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN114613725A | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 中村胜;山冈久之 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/268 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,将晶片分割成一个个器件芯片,该晶片具有:器件区域,其被交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件;以及外周剩余区域,其围绕该器件区域,其中,
所述晶片的加工方法包含以下工序:
改质层形成工序,将相对于晶片具有透射性的波长的激光光线的会聚点定位在分割预定线的内部而照射该激光光线,形成改质层;
保护部件配设工序,在该改质层形成工序之前或之后,将保护部件配设于该晶片的正面;以及
背面磨削工序,将该保护部件侧保持在磨削装置的卡盘工作台上,对该晶片的背面进行磨削而使该晶片薄化,并且借助从形成在该分割预定线的内部的该改质层朝向形成在该晶片的正面上的该分割预定线产生的裂纹,将该晶片分割成一个个器件芯片,
在该改质层形成工序中,在向到达该外周剩余区域的该分割预定线上照射该激光光线而形成该改质层的情况下,会形成表面积比该器件芯片小的三角形碎片,此时,在会形成该三角形碎片的区域中停止照射该激光光线,不形成改质层,由此不形成该三角形碎片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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