[发明专利]晶片的加工方法

说明书

本发明提供晶片的加工方法，能够解决在晶片内部沿着分割预定线形成改质层，磨削背面侧而分割成一个个器件芯片时，微细的大致三角形碎片从晶片的外周区域飞散而损伤器件芯片的问题。晶片的加工方法包含：改质层形成工序，将相对于晶片具有透射性的波长的激光光线的会聚点定位在分割预定线的内部进行照射以形成改质层；以及背面磨削工序，将晶片保持于磨削装置的卡盘工作台，对晶片背面进行磨削而使其薄化，并且借助从形成于分割预定线的内部的改质层朝向形成于晶片正面的分割预定线产生的裂纹，将晶片分割成一个个器件芯片。在该改质层形成工序中，若会形成表面积比该器件芯片小的三角形碎片，则在会划分出该三角形碎片的区域中停止照射激光光线。

技术领域

本发明涉及将晶片分割成一个个器件芯片的晶片的加工方法，该晶片具有：器件区域，其被交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件；以及外周剩余区域，其围绕该器件区域。

背景技术

对于被交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片，以使相对于晶片具有透射性的波长的激光光线的会聚点定位于分割预定线的内部的方式照射激光光线，形成改质层，并分割成一个个器件芯片(例如，参照专利文献1)。

并且，提出有以下技术：在改质层形成于分割预定线的内部之后，将配设有保护带的正面保持在磨削装置的卡盘工作台上，对晶片的背面进行磨削，使晶片薄化，并且将晶片分割成一个个器件芯片(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特许第3408805号公报

专利文献2：日本特许第4358762号公报

根据上述的专利文献2所记载的技术，改质层沿着分割预定线从晶片的一端形成至另一端侧，因此在形成了改质层后，在对晶片的背面侧进行磨削而沿着该改质层将晶片分割成一个个器件芯片时，不仅形成有器件的器件区域被分割成一个个器件芯片，未形成器件的外周剩余区域也被细微地分割。特别是，在外周剩余区域的外侧中的形成有比器件芯片小的大致三角形的碎片的区域中，在对晶片的背面侧进行磨削时，该三角形的碎片未被保护带的粘接力保持而飞散。于是，产生以下问题：飞散的该碎片附着于晶片的背面，磨削装置的磨削磨具从该碎片的上方进行磨削，该碎片被磨削磨具拖拉，从而晶片的背面受到损伤，损伤器件芯片。

发明内容

由此，本发明的目的在于，提供能够解决以下问题的晶片的加工方法：当在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层，并对背面侧进行磨削以分割成一个个器件芯片时，微细的大致三角形的碎片从晶片的外周区域飞散、附着于晶片的背面，被磨削磨具拖拉，由此对晶片背面造成损伤、损伤器件芯片。

根据本发明，提供一种晶片的加工方法，将晶片分割成一个个器件芯片，该晶片具有：器件区域，其被交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件；以及外周剩余区域，其围绕该器件区域，其中，所述晶片的加工方法包含以下工序：改质层形成工序，将相对于晶片具有透射性的波长的激光光线的会聚点定位在分割预定线的内部而照射该激光光线，形成改质层；保护部件配设工序，在该改质层形成工序之前或之后，将保护部件配设于该晶片的正面；以及背面磨削工序，将该保护部件侧保持在磨削装置的卡盘工作台上，对该晶片的背面进行磨削而使该晶片薄化，并且借助从形成在该分割预定线的内部的该改质层朝向形成在该晶片的正面上的该分割预定线产生的裂纹，将该晶片分割成一个个器件芯片，在该改质层形成工序中，在向到达该外周剩余区域的该分割预定线上照射该激光光线而形成该改质层的情况下，会形成表面积比该器件芯片小的三角形碎片，此时，在会形成该三角形碎片的区域中停止照射该激光光线，不形成改质层，由此不形成该三角形碎片。

根据本发明，在背面磨削工序中，对晶片的背面进行磨削以使晶片薄化，并且借助从形成于分割预定线的内部的改质层朝向形成在晶片的正面上的分割预定线产生的裂纹，将晶片分割成一个个器件芯片，即使实施背面磨削工序，由于不会形成表面积比器件芯片小的三角形碎片，因此解决了微细的三角形碎片从晶片的外周飞散并附着于晶片的背面，被磨削磨具拖拉，从而损伤晶片的背面、损伤器件芯片的问题。

附图说明